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IS61C64AH-25N

产品描述Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28
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文件大小201KB,共7页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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IS61C64AH-25N概述

Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28

IS61C64AH-25N规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码DIP
包装说明0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28
针数28
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间25 ns
其他特性AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDIP-T28
JESD-609代码e0
长度35.306 mm
内存密度65536 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.572 mm
最大待机电流0.006 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
Base Number Matches1

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This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

IS61C64AH-25N相似产品对比

IS61C64AH-25N IS61C64AH-12J IS61C64AH-12N IS61C64AH-25J
描述 Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 Standard SRAM, 8KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 Standard SRAM, 8KX8, 12ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码 DIP SOJ DIP SOJ
包装说明 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28
针数 28 28 28 28
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 25 ns 12 ns 12 ns 25 ns
其他特性 AUTOMATIC POWER-DOWN AUTOMATIC POWER-DOWN AUTOMATIC POWER-DOWN AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDIP-T28 R-PDSO-J28 R-PDIP-T28 R-PDSO-J28
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
长度 35.306 mm 18.161 mm 35.306 mm 18.161 mm
内存密度 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1
端子数量 28 28 28 28
字数 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words
字数代码 8000 8000 8000 8000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES YES YES
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP SOJ DIP SOJ
封装等效代码 DIP28,.3 SOJ28,.34 DIP28,.3 SOJ28,.34
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 4.572 mm 3.556 mm 4.572 mm 3.556 mm
最大待机电流 0.006 A 0.01 A 0.01 A 0.006 A
最小待机电流 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
最大压摆率 0.11 mA 0.175 mA 0.175 mA 0.11 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO YES NO YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE J BEND THROUGH-HOLE J BEND
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 7.62 mm 7.59 mm 7.62 mm 7.59 mm
Base Number Matches 1 1 1 -
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