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BCR114TE6327

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小324KB,共12页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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BCR114TE6327概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon

BCR114TE6327规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)30
元件数量1
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.25 W
表面贴装YES
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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BCR114...
NPN Silicon Digital Transistor
Switching circuit, inverter, interface circuit,
driver circuit
Built in bias resistor (R
1
=4.7kΩ,
R
2
=10kΩ)
BCR114/F
BCR114L3/T
C
3
R
1
R
2
1
B
2
E
EHA07184
Type
BCR114
BCR114F
BCR114L3
BCR114T
Marking
U4s
U4s
U4
U4s
1=B
1=B
1=B
1=B
2=E
2=E
2=E
2=E
Pin Configuration
3=C
3=C
3=C
3=C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Package
SOT23
TSFP-3
TSLP-3-4
SC75
1
Aug-29-2003

BCR114TE6327相似产品对比

BCR114TE6327 BCR114L3E6327
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon
Reach Compliance Code unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A
最小直流电流增益 (hFE) 30 30
元件数量 1 1
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.25 W 0.25 W
表面贴装 YES YES
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