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HY57V653220BTC-10I

产品描述Synchronous DRAM, 2MX32, 6ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, TSOP2-86
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文件大小158KB,共11页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY57V653220BTC-10I概述

Synchronous DRAM, 2MX32, 6ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, TSOP2-86

HY57V653220BTC-10I规格参数

参数名称属性值
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2, TSSOP86,.46,20
针数86
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间6 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)100 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码R-PDSO-G86
JESD-609代码e6
长度22.238 mm
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度32
功能数量1
端口数量1
端子数量86
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织2MX32
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSSOP86,.46,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.002 A
最大压摆率0.19 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN BISMUTH
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm
Base Number Matches1

HY57V653220BTC-10I相似产品对比

HY57V653220BTC-10I HY57V653220BTC-7I HY57V653220BLTC-7I HY57V653220BTC-6I HY57V653220BLTC-10I HY57V653220BLTC-6I
描述 Synchronous DRAM, 2MX32, 6ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, TSOP2-86 Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, TSOP2-86 Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, TSOP2-86 Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, TSOP2-86 Synchronous DRAM, 2MX32, 6ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, TSOP2-86 Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, TSOP2-86
厂商名称 SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士)
零件包装代码 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2
包装说明 TSOP2, TSSOP86,.46,20 TSOP2, TSSOP86,.46,20 TSOP2, TSSOP86,.46,20 TSOP2, TSSOP86,.46,20 TSOP2, TSSOP86,.46,20 TSOP2, TSSOP86,.46,20
针数 86 86 86 86 86 86
Reach Compliance Code unknown unknown compliant unknown compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 6 ns 5.5 ns 5.5 ns 5.5 ns 6 ns 5.5 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 100 MHz 143 MHz 143 MHz 166 MHz 100 MHz 166 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
交错的突发长度 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8
JESD-30 代码 R-PDSO-G86 R-PDSO-G86 R-PDSO-G86 R-PDSO-G86 R-PDSO-G86 R-PDSO-G86
JESD-609代码 e6 e6 e6 e6 e6 e6
长度 22.238 mm 22.238 mm 22.238 mm 22.238 mm 22.238 mm 22.238 mm
内存密度 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 32 32 32 32 32 32
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 86 86 86 86 86 86
字数 2097152 words 2097152 words 2097152 words 2097152 words 2097152 words 2097152 words
字数代码 2000000 2000000 2000000 2000000 2000000 2000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 2MX32 2MX32 2MX32 2MX32 2MX32 2MX32
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2
封装等效代码 TSSOP86,.46,20 TSSOP86,.46,20 TSSOP86,.46,20 TSSOP86,.46,20 TSSOP86,.46,20 TSSOP86,.46,20
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096 4096 4096 4096 4096
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES YES YES YES YES YES
连续突发长度 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP
最大待机电流 0.002 A 0.002 A 0.002 A 0.002 A 0.002 A 0.002 A
最大压摆率 0.19 mA 0.22 mA 0.22 mA 0.25 mA 0.19 mA 0.25 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 TIN BISMUTH TIN BISMUTH TIN BISMUTH TIN BISMUTH TIN BISMUTH TIN BISMUTH
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1

 
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