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IRL1404STRR

产品描述Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小213KB,共8页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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IRL1404STRR概述

Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3

IRL1404STRR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)520 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压40 V
最大漏极电流 (ID)160 A
最大漏源导通电阻0.004 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)640 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

IRL1404STRR相似产品对比

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描述 Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3 HEXFET Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3 Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, D2PAK-3 Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 40V, 0.0031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 40V, 0.0031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, D2PAK-3
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 符合 符合 不符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code unknown compli unknown compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 520 mJ 620 mJ 520 mJ 520 mJ 220 mJ 190 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 40 V 40 V 40 V 40 V 40 V 40 V
最大漏极电流 (ID) 160 A 160 A 160 A 160 A 75 A 75 A
最大漏源导通电阻 0.004 Ω 0.004 Ω 0.004 Ω 0.004 Ω 0.0031 Ω 0.0031 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSFM-T3 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e0 e0 e0 e3 e3 e0
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 3 2 2 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE FLANGE MOUNT SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 225 NOT SPECIFIED 260 260 225
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 640 A 640 A 640 A 640 A 790 A 790 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES NO YES YES YES YES
端子面层 TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier MATTE TIN OVER NICKEL Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 30 NOT SPECIFIED 30 30 30
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
厂商名称 International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) - -
湿度敏感等级 1 - 1 1 1 1
Base Number Matches 1 - 1 1 1 1
其他特性 - AVALANCHE RATED - AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE LOGIC LEVEL COMPATIBLE
最高工作温度 - 175 °C - 175 °C 175 °C 175 °C
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