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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IXTL2X200N085T
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IXTL2X200N085T

产品描述Power Field-Effect Transistor, 112A I(D), 85V, 0.006ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOPLUS, I5PAC-5
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小65KB，共2页
制造商IXYS
标准
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IXTL2X200N085T在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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IXTL2X200N085T概述

Power Field-Effect Transistor, 112A I(D), 85V, 0.006ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOPLUS, I5PAC-5

IXTL2X200N085T规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IXYS
包装说明ISOPLUS, I5PAC-5
针数5
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）1000 mJ
外壳连接ISOLATED
配置COMPLEX
最小漏源击穿电压85 V
最大漏极电流 (ID)112 A
最大漏源导通电阻0.006 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSIP-T5
元件数量2
端子数量5
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)540 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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