电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

BZT03-C120

产品描述Zener Diode,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小135KB,共4页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
下载文档 详细参数 全文预览

BZT03-C120概述

Zener Diode,

BZT03-C120规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
二极管类型ZENER DIODE
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
Certificate TH97/10561QM
Certificate TW00/17276EM
BZT03 Series
FEATURES :
* High maximum operating temperature
* Low leakage current
* Excellent stability
* Zener working voltage range: 7.5 to 270 V for 38 types
* Transient suppressor stand-off voltage range:
7.5 to 430V for 45 types
VOLTAGE REGULATOR DIODES
DO - 41
0.107 (2.7)
0.080 (2.0)
1.00 (25.4)
MIN.
* Pb / RoHS Free
0.205 (5.2)
0.166 (4.2)
MECHANICAL DATA :
* Case : DO-41 Molded plastic
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,
Method 208 guaranteed
* Polarity : Color band denotes cathode end
* Mounting position : Any
* Weight : 0.335 gram
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
1.00 (25.4)
MIN.
Dimensions in inches and ( millimeters )
MAXIMUM RATINGS
Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified
Parameter
Total Power dissipation
Symbol
P
tot
Condition
Ttp = 25 °C; lead length 10 mm see Fig. 1
Tamb = 45 °C, see Fig. 1; PCB mounted
Min.
-
-
-
Max.
3.25
1.30
600
Unit
W
W
W
Non-repetitive peak reverse
power dissipation
Non-repetitive peak reverse
power dissipation
Forward voltage
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
P
ZSM
tp = 100 µs; square pulse;
Tj = 25°C prior to surge; see Fig. 2
10/1000 µs exponential pulse (see Fig. 4)
Tj = 25°C prior to surge
I
F
= 0.5 A; Tj = 25 °C; see Fig. 3
P
RSM
V
F
T
j
T
stg
-
-
-65
-65
300
1.2
+175
+175
W
V
°C
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Parameter
Thermal resistance from junction to tie-point
Thermal resistance from junction to ambient
Note :
(1) Device mounted on anepoxy-glass printed-circuit board, 1.5 mm thick; thockness of Cu-layer
40 µm on an must space.
Symbol
R
th j-tp
R
th j-a
Condition
lead length = 10 mm
Note 1
Value
46
100
Unit
K/W
K/W
Page 1 of 4
Rev. 01 : March 23, 2006
微波FET低噪声放大器的设计流程
主要内容为微波FET低噪声放大器的设计流程...
JasonYoo 模拟电子
win ce下Setwindowshookex的问题
为什么我的用WIN CE的SDK开发程序里面的Setwindowshookex没有定义啊? error C3861: 'SetWindowsHookEx': identifier not found 是不是要在定制的时候加上HOOK的东西啊?...
aphonline 嵌入式系统
为什么很多有才华的最终却变成了愤青
上几天有一个朋友跟我聊天,他觉得他现在的工作,做平板电脑的,形势不好,想换一个工作。我问了一下,他对结构、电路都还比较了解,应该说属于有些才华的。 聊天中,他还告诉我,离开的另外一 ......
凤舞天 工作这点儿事
各种开发板资料汇总
本帖最后由 dcexpert 于 2015-11-10 23:37 编辑 搜集各种开发板的官方资源,方便查找。(本帖将持续更新,也欢迎大家推荐资源) ST X-NUCLEO-IDB04A1(蓝牙扩展板)资料汇总 STM32F42 ......
dcexpert 单片机
How to enroll on Wondows Mobile 6.0 or 6.1 system
在Windows Mobile 6.0或6.1中,在“设置”中“连接”->“WiFi prefs”中"enroll"栏,不知其中如何去获取证书?? 没有详细的解决与帮助,谢谢!!...
kmjm7300 嵌入式系统
【求助】为什么我的单片机下载不了程序
昨天晚上还好好的,今天早上就下不了程序了,连线都是正确的,也换了新的单片机,大家碰到过这样的情况么?...
watersondf 微控制器 MCU

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 767  1093  148  2004  1507  26  51  19  13  4 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved