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BCR189T-E6327

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小555KB,共10页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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BCR189T-E6327概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon

BCR189T-E6327规格参数

参数名称属性值
厂商名称Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Codecompliant
最大集电极电流 (IC)0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)120
元件数量1
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.25 W
表面贴装YES
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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BCR189...
PNP Silicon Digital Transistor
Switching circuit, inverter, interface circuit,
driver circuit
Built in bias resistor (R
1
= 22 kΩ)
BCR189F/L3
BCR189T
C
3
R
1
1
B
2
E
EHA07180
Type
Marking
Pin Configuration
Package
BCR189F
BCR189L3
BCR189T
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-base voltage
Emitter-base voltage
Input on voltage
Collector current
Total power dissipation
BCR189F,
T
S
128°C
BCR189L3,
T
S
135°C
BCR189T,
T
S
109°C
Junction temperature
Storage temperature
W2s
W2
W2s
1=B
1=B
1=B
2=E
2=E
2=E
3=C
3=C
3=C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
TSLP-3
TSLP-3-4
SC75
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
V
i(on)
I
C
P
tot
Value
50
50
5
30
100
250
250
250
Unit
V
mA
mW
T
j
T
stg
150
-65 ... 150
°C
1
Mar-03-2005

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