IRF5N3415,IRF5N3415 pdf中文资料,IRF5N3415引脚图,IRF5N3415电路-Datasheet-电子工程世界

IRF5N3415: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 37.5A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD-1, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小117KB，共7页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

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IRF5N3415概述

Power Field-Effect Transistor, 37.5A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD-1, 3 PIN

IRF5N3415规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)
包装说明	HERMETIC SEALED, SMD-1, 3 PIN
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	210 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	37.5 A
最大漏极电流 (ID)	37.5 A
最大漏源导通电阻	0.042 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-CBCC-N3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	150 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	NO LEAD
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

IRF5N3415相似产品对比

	IRF5N3415	IRF5N3415PBF
描述	Power Field-Effect Transistor, 37.5A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD-1, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 37.5A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD-1, 3 PIN
是否Rohs认证	不符合	符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)
包装说明	HERMETIC SEALED, SMD-1, 3 PIN	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
Reach Compliance Code	unknown	compliant
雪崩能效等级（Eas）	210 mJ	210 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	150 V	150 V
最大漏极电流 (ID)	37.5 A	37.5 A
最大漏源导通电阻	0.042 Ω	0.042 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-CBCC-N3	R-CBCC-N3
元件数量	1	1
端子数量	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	150 A	150 A
表面贴装	YES	YES
端子形式	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1

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