Standard SRAM, 8KX8, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28
| 参数名称 | 属性值 |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | 0.300 INCH, CERDIP-28 |
| 针数 | 28 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T28 |
| 长度 | 37.0205 mm |
| 内存密度 | 65536 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 28 |
| 字数 | 8192 words |
| 字数代码 | 8000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 8KX8 |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| 5962-3829411MZX | 5962-3829415MZX | OSTEQ150561 | 5962-3829413MZX | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Standard SRAM, 8KX8, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28 | Standard SRAM, 8KX8, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28 | Barrier Strip Terminal Block, 10A, 1 Row(s), 1 Deck(s) | Standard SRAM, 8KX8, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | compliant | unknown |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C | EAR99 | 3A001.A.2.C |
| 零件包装代码 | DIP | DIP | - | DIP |
| 包装说明 | 0.300 INCH, CERDIP-28 | 0.300 INCH, CERDIP-28 | - | 0.300 INCH, CERDIP-28 |
| 针数 | 28 | 28 | - | 28 |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T28 | R-GDIP-T28 | - | R-GDIP-T28 |
| 长度 | 37.0205 mm | 37.0205 mm | - | 37.0205 mm |
| 内存密度 | 65536 bit | 65536 bit | - | 65536 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | - | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | - | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | - | 1 |
| 端子数量 | 28 | 28 | - | 28 |
| 字数 | 8192 words | 8192 words | - | 8192 words |
| 字数代码 | 8000 | 8000 | - | 8000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | - | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | - | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | - | -55 °C |
| 组织 | 8KX8 | 8KX8 | - | 8KX8 |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED | - | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP | DIP | - | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | - | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | - | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 | MIL-STD-883 | - | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 5.08 mm | - | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | - | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | - | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | - | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | - | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | - | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | - | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | - | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | - | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | - | DUAL |
| 宽度 | 7.62 mm | 7.62 mm | - | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 | - | 1 |
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