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GBU6M-H

产品描述Bridge Rectifier Diode,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小215KB,共6页
制造商FORMOSA
官网地址http://www.formosams.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

GBU6M-H概述

Bridge Rectifier Diode,

GBU6M-H规格参数

参数名称属性值
厂商名称FORMOSA
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性UL RECOGNIZED
最小击穿电压1000 V
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流175 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流6 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压1000 V
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

GBU6M-H相似产品对比

GBU6M-H GBU6M
描述 Bridge Rectifier Diode, Bridge Rectifier Diode,
厂商名称 FORMOSA FORMOSA
Reach Compliance Code unknown unknown
其他特性 UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED
最小击穿电压 1000 V 1000 V
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流 175 A 175 A
元件数量 4 4
相数 1 1
端子数量 4 4
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
最大输出电流 6 A 6 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压 1000 V 1000 V
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
Base Number Matches 1 1

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