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NMC27C16-55

产品描述IC 2K X 8 UVPROM, 550 ns, CDIP24, WINDOWED, CERAMIC, DIP-24, Programmable ROM
产品类别存储    存储   
文件大小253KB,共7页
制造商National Semiconductor(TI )
官网地址http://www.ti.com
敬请期待 详细参数 选型对比

NMC27C16-55概述

IC 2K X 8 UVPROM, 550 ns, CDIP24, WINDOWED, CERAMIC, DIP-24, Programmable ROM

NMC27C16-55规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称National Semiconductor(TI )
包装说明WDIP, DIP24,.6
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间550 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-GDIP-T24
JESD-609代码e0
内存密度16384 bit
内存集成电路类型UVPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量24
字数2048 words
字数代码2000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码WDIP
封装等效代码DIP24,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE, WINDOW
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.715 mm
最大待机电流0.01 A
最大压摆率0.01 mA
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15.24 mm
Base Number Matches1

NMC27C16-55相似产品对比

NMC27C16-55 NMC27C16-35 NMC27C16-45 NMC27C16-30
描述 IC 2K X 8 UVPROM, 550 ns, CDIP24, WINDOWED, CERAMIC, DIP-24, Programmable ROM IC 2K X 8 UVPROM, 350 ns, CDIP24, WINDOWED, CERAMIC, DIP-24, Programmable ROM IC 2K X 8 UVPROM, 450 ns, CDIP24, WINDOWED, CERAMIC, DIP-24, Programmable ROM IC 2K X 8 UVPROM, 300 ns, CDIP24, WINDOWED, CERAMIC, DIP-24, Programmable ROM
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 National Semiconductor(TI ) National Semiconductor(TI ) National Semiconductor(TI ) National Semiconductor(TI )
包装说明 WDIP, DIP24,.6 WDIP, DIP24,.6 WDIP, DIP24,.6 WDIP, DIP24,.6
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 550 ns 350 ns 450 ns 300 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-GDIP-T24 R-GDIP-T24 R-GDIP-T24 R-GDIP-T24
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
内存密度 16384 bit 16384 bit 16384 bit 16384 bit
内存集成电路类型 UVPROM UVPROM UVPROM UVPROM
内存宽度 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1
端子数量 24 24 24 24
字数 2048 words 2048 words 2048 words 2048 words
字数代码 2000 2000 2000 2000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 2KX8 2KX8 2KX8 2KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 WDIP WDIP WDIP WDIP
封装等效代码 DIP24,.6 DIP24,.6 DIP24,.6 DIP24,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE, WINDOW IN-LINE, WINDOW IN-LINE, WINDOW IN-LINE, WINDOW
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.715 mm 5.715 mm 5.715 mm 5.715 mm
最大待机电流 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A
最大压摆率 0.01 mA 0.01 mA 0.01 mA 0.01 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.25 V 5.25 V 5.25 V 5.25 V
最小供电电压 (Vsup) 4.75 V 4.75 V 4.75 V 4.75 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm
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