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AM2732B-250DE

产品描述UVPROM, 4KX8, 250ns, NMOS, CDIP24, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-24
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文件大小382KB,共14页
制造商AMD(超微)
官网地址http://www.amd.com
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AM2732B-250DE概述

UVPROM, 4KX8, 250ns, NMOS, CDIP24, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-24

AM2732B-250DE规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DIP
包装说明WDIP, DIP24,.6
针数24
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间250 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-GDIP-T24
JESD-609代码e0
长度32.0675 mm
内存密度32768 bit
内存集成电路类型UVPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量24
字数4096 words
字数代码4000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织4KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码WDIP
封装等效代码DIP24,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE, WINDOW
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
编程电压12.5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.588 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术NMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15.24 mm
Base Number Matches1
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