NAND Gate, HST/T Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDIP14
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Dynex |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | unknown |
其他特性 | RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHNOLOGY |
系列 | HST/T |
JESD-30 代码 | R-CDIP-T14 |
负载电容(CL) | 50 pF |
逻辑集成电路类型 | NAND GATE |
功能数量 | 4 |
输入次数 | 2 |
端子数量 | 14 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
传播延迟(tpd) | 20 ns |
认证状态 | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | DUAL |
Base Number Matches | 1 |
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