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HL6339G

产品描述633nm Lasing Laser Diode
产品类别光电子/LED    光电   
文件大小43KB,共8页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HL6339G概述

633nm Lasing Laser Diode

HL6339G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Hitachi (Renesas )
包装说明LD/G2, 3 PIN
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE
最大正向电流0.07 A
最大正向电压2.7 V
JESD-609代码e0
安装特点THROUGH HOLE MOUNT
功能数量1
最高工作温度40 °C
最低工作温度-10 °C
光电设备类型LASER DIODE
标称输出功率5 mW
峰值波长633 nm
半导体材料AlGaInP
形状ROUND
尺寸2 mm
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
最大阈值电流60 mA
Base Number Matches1

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HL6339G/42G
633nm Lasing Laser Diode
ADE-208-1434A (Z)
Rev.1
Apr. 2002
Description
The HL6339G/42G is 0.63
µm
band AlGaInP laser diode with a multi-quantum well (MQW) structure.
Lasing wavelength of this laser is nearly equal to the wavelength of He-Ne gas laser. They are suitable as
light sources for laser levelers, laser scanners and optical equipment for measurement.
Application
Measurement
Laser analysis systems
Laser scanner
Features
Optical output power
Visible light output
: 5 mW (CW)
: 633 nm Typ (nearly equal to He-Ne gas laser)
Low operating current : 55 mA Typ
Low operating voltage : 2.3 V Typ
TM mode oscillation
Package Type
HL6339G/42G: G2
Internal Circuit
HL6339G
1
3
Internal Circuit
HL6342G
1
3
PD
LD
PD
LD
2
2

HL6339G相似产品对比

HL6339G HL6342G
描述 633nm Lasing Laser Diode 633nm Lasing Laser Diode
厂商名称 Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas )
包装说明 LD/G2, 3 PIN LD/G2, 3 PIN
Reach Compliance Code unknown unknow
配置 SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE
最大正向电流 0.07 A 0.07 A
最大正向电压 2.7 V 2.7 V
安装特点 THROUGH HOLE MOUNT THROUGH HOLE MOUNT
功能数量 1 1
最高工作温度 40 °C 40 °C
最低工作温度 -10 °C -10 °C
光电设备类型 LASER DIODE LASER DIODE
标称输出功率 5 mW 5 mW
峰值波长 633 nm 633 nm
半导体材料 AlGaInP AlGaInP
形状 ROUND ROUND
尺寸 2 mm 2 mm
表面贴装 NO NO
最大阈值电流 60 mA 60 mA
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