Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 50V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 240 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 50 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 5.3 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.5 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 25 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 21 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 最大关闭时间（toff） | 79 ns |
| 最大开启时间（吨） | 80.2 ns |
| Base Number Matches | 1 |
| IRFR9010-T1 | IRFR9014-T1 | IRFR9012-T1 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 50V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 50V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 |
| 厂商名称 | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数 | 3 | 3 | 3 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 240 mJ | 240 mJ | 240 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 50 V | 60 V | 50 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 5.3 A | 5.3 A | 4.5 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.5 Ω | 0.5 Ω | 0.7 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 2 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL | P-CHANNEL | P-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 25 W | 25 W | 25 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 21 A | 21 A | 18 A |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
| 最大关闭时间（toff） | 79 ns | 79 ns | 79 ns |
| 最大开启时间（吨） | 80.2 ns | 80.2 ns | 80.2 ns |
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