RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC, SUPERMINI-4
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | NEC(日电) |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数 | 4 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.035 A |
| 基于收集器的最大容量 | 0.8 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 10 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最高频带 | L BAND |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码 | e6 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 4 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | TIN BISMUTH |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 10000 MHz |
| Base Number Matches | 1 |
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