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HIP2101IBZ-T

产品描述2 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDSO8
产品类别半导体    模拟混合信号IC   
文件大小661KB,共13页
制造商Intersil ( Renesas )
官网地址http://www.intersil.com/cda/home/
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HIP2101IBZ-T概述

2 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDSO8

2 A 半桥 场效应管驱动器, PDSO8

HIP2101IBZ-T规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量8
最大工作温度125 Cel
最小工作温度-40 Cel
最大供电电压114 V
最小供电电压19 V
额定供电电压112 V
导通时间0.0560 us
关断时间0.0560 us
加工封装描述LEAD FREE, PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子间距1.27 mm
端子涂层MATTE TIN
端子位置DUAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
温度等级AUTOMOTIVE
高端驱动器Yes
接口类型HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER
额定输出峰值电流限制2 A

 
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