Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> 5962R0520803VYC

5962R0520803VYC: 产品描述Standard SRAM, 512KX8, 17ns, CMOS; 产品类别存储存储; 文件大小456KB，共14页; 制造商Microchip(微芯科技); 官网地址https://www.microchip.com

下载文档详细参数选型对比全文预览

5962R0520803VYC在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	5962R0520803VYC	-	-	点击查看	点击购买

5962R0520803VYC概述

Standard SRAM, 512KX8, 17ns, CMOS

5962R0520803VYC规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Microchip(微芯科技)
包装说明	DFP, FL36,.5
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	17 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDFP-F36
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	36
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	512KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DFP
封装等效代码	FL36,.5
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL
电源	3.3 V
认证状态	Qualified
筛选级别	MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度	3.05 mm
最大待机电流	0.0015 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子形式	FLAT
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
宽度	12.195 mm
Base Number Matches	1

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

Features

•

Operating Voltage: 3.3V, 5V tolerant

•

Access Time:

•

– 17 ns

– 15 ns

Very Low Power Consumption

– Active: 610 mW (Max) @ 17 ns

(1)

, 540 mW (Max) @ 25 ns

– Standby: 3.3 mW (Typ)

Wide Temperature Range: -55 to +125⋅C

TTL-Compatible Inputs and Outputs

Asynchronous

Designed on 0.25 µm Radiation Hardened Process

No Single Event Latch Up below LET Threshold of 80 MeV/mg/cm

@125°C

Tested up to a Total Dose of 300 krads (Si) according to MIL-STD-883 Method 1019

500 Mils Wide FP36 Package

ESD better than 2000V

Quality Grades:

– QML-Q or V

– ESCC

1. 650 mW (Max) @ 15 ns

Note:

Rad Hard

512K x 8

5V Tolerant

Very Low Power

CMOS SRAM

AT60142HT

Description

The AT60142HT is a very low power CMOS static RAM organized as 512K x 8 bits.

Atmel brings the solution to applications where fast computing is as mandatory as low

consumption, such as aerospace electronics, portable instruments, or embarked

systems.

Utilizing an array of six transistors (6T) memory cells, the AT60142HT combines an

extremely low standby supply current (Typical value = 1 mA) with a fast access time at

15 ns over the full military temperature range. The high stability of the 6T cell provides

excellent protection against soft errors due to noise.

The AT60142HT is processed according to the methods of the latest revision of the

MIL PRF 38535 or ESCC 9000.

It is produced on a radiation hardened 0.25 µm CMOS process.

7841C–AERO–11/13

5962R0520803VYC相似产品对比

	5962R0520803VYC	5962-0520803VYC	AT60142HT-DS15MSR	AT60142HT-DS15ESCC	AT60142HT-DS15MMQ	AT60142HT-DS17ESCC
描述	Standard SRAM, 512KX8, 17ns, CMOS	Standard SRAM, 512KX8, 17ns, CMOS	Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, PDFP36	Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, PDFP36	Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, PDFP36	Standard SRAM, 512KX8, 17ns, CMOS, PDFP36
厂商名称	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)
包装说明	DFP, FL36,.5	DFP, FL36,.5	0.500 INCH, DFP-36	0.500 INCH, DFP-36	0.500 INCH, DFP-36	0.500 INCH, DFP-36
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C
最长访问时间	17 ns	17 ns	15 ns	15 ns	15 ns	17 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDFP-F36	R-XDFP-F36	R-PDFP-F36	R-PDFP-F36	R-PDFP-F36	R-PDFP-F36
内存密度	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	36	36	36	36	36	36
字数	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	512000	512000	512000	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP
封装等效代码	FL36,.5	FL36,.5	FL36,.5	FL36,.5	FL36,.5	FL36,.5
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Qualified	Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
筛选级别	MIL-PRF-38535 Class V	MIL-PRF-38535 Class V	38535Q/M;38534H;883B	ESCC9000	38535Q/M;38534H;883B	ESCC9000
座面最大高度	3.05 mm	3.05 mm	3.05 mm	3.05 mm	3.05 mm	3.05 mm
最大待机电流	0.0015 A	0.0015 A	0.0015 A	0.0015 A	0.0015 A	0.0015 A
最小待机电流	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V
最大压摆率	0.17 mA	0.17 mA	0.18 mA	0.18 mA	0.18 mA	0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	12.195 mm	12.195 mm	12.195 mm	12.195 mm	12.195 mm	12.195 mm
是否Rohs认证	-	-	不符合	不符合	不符合	不符合

推荐资源

51单片机+LM3S811 + launchpad 430 100出了: 3个小板子100元出了...; zw357234798 TI技术论坛

关于vista中的inf和sys: vista中将.inf copy到windows\inf 将.sys copy到windows\system32\drivers 插入硬件,提示找到新硬件, 点击自动搜索安装(只有这一项,不像xp还能选择路径安装),提示"在inf中找不到所需的行" ......; juxiezuo 嵌入式系统

汇编自动注解程序（特别推荐初学下载）: 本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 09:38 编辑有了这个程序，就可以对没有注释的汇编程序自动加注释，广大菜鸟就很容易看懂汇编天书啦：） ...; 空气电子竞赛

声控灯电路原理图: 【不懂就问】现在在大量学，看电路图今天遇到一个声控灯电路原理图，有以下几个疑问，望解答【1】图中左下角BM是传声器，解析里说的是，R1-R3,VT1,C1和BM构成了声音放大电路，自己不 ......; shaorc 模拟电子

2016年电赛题目: 不知大家对题目有什么看法:time:...; 请给我C代码电子竞赛

讨论一下啊FM调频收音机芯片: 我知道经典的是TEA5767，现在又有了 RDA5802。还有些什么芯片？不知道大家是否了解这两款芯片，他们各自有哪些优点。我要求功耗低。附件中是datasheet，谁能帮我看一下哪个省电。本帖最 ......; dsp_comm 无线连接

450Wh/kg！融捷集团发布第二代硫化物全固态电池

当固态电池行业仍在为电动汽车的“终极方案”进行漫长的技术马拉松时，部分企业已开始寻找更切近的商业化落地场景。近日，融捷集团旗下的融捷能源科技有限公司（以下简称“融捷能源”）正式推出其第二代全固态硫化物电池，能量密度达到450 Wh/kg。固态电池迈向实处，三赛道精准卡位 2025年，全球固态电池产业进入了一个关键的“去芜存菁”阶段。在经历多轮资本与产业的热潮起伏后，市场正...[详细]
从两个层面来说电动汽车为什么不适合跑长途

纯电动汽车跑长途是否是个伪命题？至少就我个人的观点来看，至少就目前的技术水准以及基建水平来看，我认为是的。以下我会从两个大的层面来和大家聊聊，为什么纯电动汽车不适合跑长途。开着纯电动汽车跑长途，你需要对你的路程做出一个十分精准的规划，到哪里需要进行充电、需要预留多少的安全电量、具体路线的选择等等。除此以外，当你花了非常多的心思，对自己的旅程做出安排之后，实际路途中如果遇上一次充电桩的损坏、...[详细]
自备智能手机，实现门禁控制和电脑桌面登录

主题：自备终端(BYOD)发展趋势;用员工自己的移动设备来控制对工作设施及设备的使用，会对信息安全产生怎样的影响;在不使公司有安全风险或不损害员工隐私的前提下，有哪些方式能安全地实现这样的设施及设备使用。自备终端(Bring Your Own Device，简称BYOD)，即企业允许员工离职时保留自己的手机，这种做法正日益流行。如今智能手机功能也越来越多，我们不仅能用自己的手机访问电脑、网...[详细]
不可错过的stm32单片机直流电机驱动与测速详解

　　stm32直流电机驱动与测速　　说实话就现在的市场应用中stm32已经占到了绝对住到的地位，51已经成为过去式，32的功能更加强大，虽然相应的难度有所增加，但是依然阻止不了大家学习32的脚步，不说大话了这些大家都懂要不然也不会学习stm32的人那么多!!! 　　进入我们今天的主题，今天给大家介绍的是stm32中一个很小但是比较实用的stm32直流电机驱动与测速，话不多说先给大家上一段直流电...[详细]
单片机开发过程中使用结构体简化程序

首先，作为刚入行不久的新人，我在单片机开发这块并没有太多的经验，所以可能在写一些相关的文档的时候存在一些错误，希望大家多多包含！也希望各位不吝赐教，指点迷津！好记性不如烂笔头，之所以选择开通博客是因为我想把自己在工作和学习过程中碰到的一些问题以及疑惑记录下来，同时积极地定位问题的源头以及寻求解决方案，或许在碰到相同的问题时就能很快地解决。同时在博客上也可以学习到很多工程师长期积累的经验，分享自...[详细]
电动汽车以什么样的充电方式才是最合适的

电动汽车续航里程越来越长，普及率越来越高。电动汽车充电有两种方式慢充和快充,哪一种方式最合适呢？慢充，就是采用交流220V或三相380V（普通家用照明电源或动力电源）使用输出功率为5kW左右的充电器给电动汽车充电。快充就是利用充电桩进行直流充电，插头接电动汽车的直流充电口进行充电，根据充电桩的功率可达30KW~60KW。电动汽车是以电动机动力行驶的汽车，而车载蓄电池是为电动机提供电能的核心...[详细]
电动汽车在雨天打雷时可以给汽车进行充电吗

电动汽车由电能来进行驱动，而充电时作为车辆补充能量来源的装置，开车再外需要对于车辆进行补充电量时常见的事情，而在雨天打雷的时候，可以给汽车充电吗？对于电动汽车来说在雷雨天气下是可以对于车辆进行充电的。说到这里我们从电动汽车充电安全上面来说起，车辆充电需要经过充电桩，通过充电桩输出电压和电流，进入到车辆电池内部，从充电桩到车辆的充电口，通过导线相连，而充电枪是直接插入到车辆的充电口当中，根据...[详细]
工艺的选择很重要，辊压机轴承位磨损现场修复的完整流程

在辊压机轴承位磨损的故障处理中，常见的办法一般有补焊工艺、热喷涂工艺、电刷镀工艺以及报废更换等，考虑到方便快捷因素，上述办法都受到拆装及运输成本的制约，修复时间较长，在对停机时间有要求的场合下不占优势。下面介绍的是一种在线快速修复辊压机轴头磨损的方法，可以在短时间内快速解决问题，为企业节省停机停产时间。现场情况说明某车间合肥院辊压机轴承运行期间出现轴承温度过高，螺栓断裂，停机拆卸后发现轴承...[详细]
探索当今TWS耳机的混合设计配置及OEM面临的工程挑战

消费者对高端聆听体验的需求推动无线耳机市场近年来快速迭代。混合设计在每只耳机中采用两种驱动单元，以提升音质、功能和佩戴舒适度。随着原始设备制造商（OEM）力求超越消费者预期并在市场中保持竞争力，这类设计正日益普及。真无线立体声（TWS）耳机领域正加速采用混合设计。混合方案的兴起促使 TWS 耳机经历重大技术重构，不仅影响制造商的产品架构，更为消费者带来显著优化的声音体验。本文将概述当今 T...[详细]
stm32单片机时钟

1 引言：# 单片机（Microcontrollers），采用超大规模集成电路技术把具有数据处理能力的中央处理器CPU、随机存储器RAM、只读存储器ROM、多种I/O口和中断系统、定时器/计数器等功能（可能还包括显示驱动电路、脉宽调制电路、模拟多路转换器、A/D转换器等电路）集成到一块硅片上构成的一个小而完善的微型计算机系统，在工业控制领域广泛应用。单片机时钟可以说如同人的心脏那样重要，我们在...[详细]
电动汽车的电池养护需要注意哪些方面的细节

电池作为电动汽车的核心，关心车辆的用车和养车等，而车辆的运行都是靠电池所产生电能来保证的，对于电池而言电池的使用和养护来说就是很重要的一个环节了，对于电动汽车来说，电动汽车电池养护需要注意哪些细节？首先对于车辆来说，定期的按照要求对电池进行检查和保养，使用的时候避免过渡电池出现过渡放电现象，在行车的时候保持良好的驾驶习惯，尽量避免猛踩加速，对于电池而言，猛加速会使得电池内部的电极之间形成瞬...[详细]
Arm Zena CSS 助力车厂提前一年推出 AI 定义汽车

Arm 助力车厂将新车型上市时间至少提前一年。 Zena CSS 加速了软件和芯片开发进程，助力更快速、高效地交付 AI 功能。作为预先验证且具备安全能力的计算平台，Zena CSS 能够节省约 20% 的工程资源，大幅降低开发的成本和复杂性。未来几年，大多数汽车制造商将会基于 Zena CSS 产品系列进行开发 Arm 控股有限公司近期宣布推出 Arm® Zena 计...[详细]
基于可靠性和成本问题如何选择不同的远程抄表方案？

“远程抄表”从字面看来，重点是远程上，远程到底有多远？一公里？两公里？这都不算远，目前的抄表距离最远达百公里以上。这么远的距离就需要考虑传输的可靠性和成本的问题。目前市面上形形色色的抄表中，如何基于这两点考虑来选择各种不同的远程抄表方案呢？本文将为您详细讲解。下图为常见的几种抄表方式： 485方式：这种4线制抄表方式很早就开始使用了，传输距离一般在1~2km以下为最佳，如果超过距离加...[详细]
一种JavaCard库包后下载的方法

引言　　由于具有灵活性和安全性，JAVA卡在智能卡领域的应用越来越多。当一张JAVA卡发行后，如果多个应用需要调用同一个功能模块，现有的办法是在每个应用(JavaCard Applet)中实现此功能。这将导致空间占用的增加，在存储资源有限的情况下，会使得JAVA卡上支持的应用个数减少。如果使用补丁机制将此功能模块做成智能卡的补丁，开发一个完整的功能模块会受到补丁机制的灵活性限制。如要重新进行卡...[详细]
新能源汽车时代，内燃发动机该何去何从

随着环保意识的日益增加，和排放法规标准的严格，从车企角度上面几乎无一例外都在朝着新能源的路子上走，不管是国际大厂还是一些刚刚起步的自主品牌们莫不是如此，面对着新能源当道，内燃机未来怎么“活”？说起内燃机在新能源汽车当道的时代中，内燃机可以走小排量，和电动汽车搭配着混动路线，工作，同时来说可以从高效发动机来进行转型，按照消费者需求来满足个性化的动力需求，同时用技术实力满足法规需要，以小排量路...[详细]

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多