IRF615-010PBF,IRF615-010PBF pdf中文资料,IRF615-010PBF引脚图,IRF615-010PBF电路-Datasheet-电子工程世界

IRF615-010PBF: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 250V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小43KB，共1页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/; 标准

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IRF615-010PBF概述

Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 250V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	250 V
最大漏极电流 (ID)	2.2 A
最大漏源导通电阻	3 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	250
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	8.8 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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