Transistor
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Central Semiconductor |
| 包装说明 | , |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.16 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.125 W |
| 表面贴装 | YES |
| Base Number Matches | 1 |
| CMRDM3575TRLEADFREE | CMRDM3575BKLEADFREE | |
|---|---|---|
| 描述 | Transistor | Transistor |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Central Semiconductor | Central Semiconductor |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.16 A | 0.16 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.125 W | 0.125 W |
| 表面贴装 | YES | YES |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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