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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> BC327-16
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BC327-16

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小379KB，共2页
制造商KEC
官网地址http://www.keccorp.com/
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BC327-16在线购买

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BC327-16概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN

BC327-16规格参数

参数名称属性值
零件包装代码TO-92
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.8 A
集电极-发射极最大电压45 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.625 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
Base Number Matches1

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SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
SWITCHING APPLICATION.
FEATURES
High Current : I
C
=-800mA.
DC Current Gain : h
FE
=100 630 (V
CE
=-1V, I
c
=-100mA).
For Complementary with NPN type BC337.
BC327
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
MAXIMUM RATING (Ta=25
CHARACTERISTIC
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Base Current
Emitter Current
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
)
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
I
E
P
C
T
j
T
stg
RATING
-50
-45
-5
-800
-200
800
625
150
-55 150
UNIT
V
V
V
mA
mA
mA
mW
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
Collector Cut-off Current
DC Current Gain (Note)
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Voltage
Transition Frequency
Collector Output Capacitance
Note : h
FE
Classification none:100 630,
SYMBOL
I
CBO
h
FE
V
CE(sat)
V
BE(ON)
f
T
C
ob
16:100 250,
TEST CONDITION
V
CB
=-45V, I
E
=0
V
CE
=-1V, I
C
=-100mA
I
C
=-500mA, I
B
=-50mA
V
CE
=-1V, I
C
=-300mA
V
CE
=-5V, I
C
=-10mA, f=100MHz
V
CB
=-10V, f=1MHz, I
E
=0
25:160 400,
40:250 630
MIN.
-
100
-
-
-
-
TYP.
-
-
-
-
100
16
MAX.
-100
630
-0.7
-1.2
-
-
V
V
MHz
pF
UNIT
nA
2008. 4. 24
Revision No : 3
1/2

BC327-16相似产品对比

BC327-16 BC327-40 BC327-25
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN
零件包装代码 TO-92 TO-92 TO-92
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.8 A 0.8 A 0.8 A
集电极-发射极最大电压 45 V 45 V 45 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 100 250 160
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.625 W 0.625 W 0.625 W
表面贴装 NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz 100 MHz
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
厂商名称 - KEC KEC

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