Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRHM9150PBF

IRHM9150PBF: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小163KB，共8页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/; 标准

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IRHM9150PBF概述

Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3

IRHM9150PBF规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	TO-254AA
包装说明	FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）	500 mJ
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V
最大漏极电流 (ID)	22 A
最大漏源导通电阻	0.085 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-254AA
JESD-30 代码	S-CSFM-P3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	SQUARE
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	P-CHANNEL
功耗环境最大值	150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	88 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	PIN/PEG
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	400 ns
最大开启时间（吨）	300 ns
Base Number Matches	1

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PD-90889E

RADIATION HARDENED

POWER MOSFET

THRU-HOLE (TO-254AA)

Product Summary

Part Number Radiation Level R

DS(on)

IRHM9150

100K Rads (Si) 0.080Ω

IRHM93150

300K Rads (Si)

0.080Ω

-22A

IRHM9150

JANSR2N7422

100V, P-CHANNEL

REF: MIL-PRF-19500/662

RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY

™

QPL Part Number

JANSR2N7422

JANSF2N7422

TO-254AA

International Rectifier’s RADHard HEXFET

technology provides high performance power

MOSFETs for space applications. This technology

has over a decade of proven performance and

reliability in satellite applications. These devices

have been characterized for both Total Dose and

Single Event Effects (SEE). The combination of

low Rdson and low gate charge reduces the

power losses in switching applications such as

DC to DC converters and motor control. These

devices retain all of the well established

advantages of MOSFETs such as voltage control,

fast switching, ease of paralleling and temperature

Features:

Single Event Effect (SEE) Hardened

Low R

DS(on)

Low Total Gate Charge

Proton Tolerant

Simple Drive Requirements

Ease of Paralleling

Hermetically Sealed

Surface Mount

Ceramic Package

Light Weight

ESD Rating: Class 2 per MIL-STD-750,

Method 1020

Absolute Maximum Ratings

Parameter

ID @ VGS = -12V, TC = 25°C Continuous Drain Current

ID @ V GS = -12V, TC = 100°C Continuous Drain Current

IDM

Pulsed Drain Current

PD @ TC = 25°C

VGS

EAS

I AR

EAR

dv/dt

T STG

Max. Power Dissipation

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy

Avalanche Current

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction

Storage Temperature Range

Lead Temperature

Weight

For footnotes refer to the last page

-22

-14

-88

150

1.2

±20

500

-22

-23

-55 to 150

Pre-Irradiation

Units

W/°C

V/ns

°C

300 ( 0.063 in. (1.6mm) from case for 10s)

9.3 (typical)

www.irf.com

05/13/14

IRHM9150PBF相似产品对比

	IRHM9150PBF	IRHM9150	IRHM9150SCSPBF	IRHM9150UPBF	IRHM9150DPBF	IRHM9150D	IRHM9150U
描述	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3	22 A, 100 V, 0.085 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA	Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 100V, 0.145ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA	Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 100V, 0.145ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA	Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 100V, 0.145ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA	Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 100V, 0.145ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA
是否无铅	不含铅	含铅	不含铅	不含铅	不含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	符合	不符合	符合	符合	符合	不符合	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3	FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3	FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
Reach Compliance Code	compliant	compli	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED	RADIATION HARDENED	RADIATION HARDENED	RADIATION HARDENED	RADIATION HARDENED
雪崩能效等级（Eas）	500 mJ	500 mJ	500 mJ	500 mJ	500 mJ	500 mJ	500 mJ
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V	100 V	100 V	100 V	100 V	100 V	100 V
最大漏极电流 (ID)	22 A	22 A	22 A	21 A	21 A	21 A	21 A
最大漏源导通电阻	0.085 Ω	0.085 Ω	0.085 Ω	0.145 Ω	0.145 Ω	0.145 Ω	0.145 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-254AA	TO-254AA	TO-254AA	TO-254AA	TO-254AA	TO-254AA	TO-254AA
JESD-30 代码	S-CSFM-P3	S-CSFM-P3	S-XSFM-P3	S-MSFM-P3	S-MSFM-P3	S-MSFM-P3	S-MSFM-P3
元件数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	UNSPECIFIED	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	260	NOT SPECIFIED	260	260	260	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	88 A	88 A	88 A	84 A	84 A	84 A	84 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	40	NOT SPECIFIED	40	40	40	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
功耗环境最大值	150 W	150 W	-	150 W	150 W	150 W	150 W
最大关闭时间（toff）	400 ns	400 ns	-	400 ns	400 ns	400 ns	400 ns
最大开启时间（吨）	300 ns	300 ns	-	300 ns	300 ns	300 ns	300 ns

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