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IDT71B65S35L32B8

产品描述Standard SRAM, 8KX8, 35ns, BICMOS, CQCC32, LCC-32
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文件大小43KB,共2页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT71B65S35L32B8概述

Standard SRAM, 8KX8, 35ns, BICMOS, CQCC32, LCC-32

IDT71B65S35L32B8规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFJ
包装说明QCCN,
针数32
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间35 ns
JESD-30 代码R-CQCC-N32
JESD-609代码e0
长度13.97 mm
内存密度65536 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量32
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织8KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码QCCN
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.048 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术BICMOS
温度等级MILITARY
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度11.43 mm
Base Number Matches1
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