INA120AP放大器基础信息：
INA120AP是来自Texas Instruments的一款INSTRUMENTATION AMPLIFIER。常用的包装方式为PLASTIC, DIP-18
INA120AP放大器核心信息：
INA120AP的最低工作温度是-25 °C，最高工作温度是85 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED他的最大平均偏置电流为0.05 µA而其最大的输入失调电流（IIO）则仅为0.05 µA
如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，INA120AP的标称压摆率有0.6 V/us。厂商给出的INA120AP的最大压摆率为4 mA.其最大电压增益为1000，最小电压增益为1。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，INA120AP增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为2 MHz。
INA120AP的标称供电电压为15 V，其对应的标称负供电电压为-15 V。INA120AP的输入失调电压为2200 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）
INA120AP的相关尺寸：
INA120AP的宽度为：7.62 mm，长度为22.86 mmINA120AP拥有18个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚：18
INA120AP放大器其他信息：
其温度等级为：OTHER。INA120AP不符合Rohs认证。其含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为：R-PDIP-T18。INA120AP的封装代码是：DIP。
INA120AP封装的材料多为PLASTIC/EPOXY。而其封装形状为RECTANGULAR。INA120AP封装引脚的形式有：IN-LINE。其端子形式有：THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.33 mm。
INA120AP放大器基础信息：
INA120AP是来自Texas Instruments的一款INSTRUMENTATION AMPLIFIER。常用的包装方式为PLASTIC, DIP-18
INA120AP放大器核心信息：
INA120AP的最低工作温度是-25 °C，最高工作温度是85 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED他的最大平均偏置电流为0.05 µA而其最大的输入失调电流（IIO）则仅为0.05 µA
如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，INA120AP的标称压摆率有0.6 V/us。厂商给出的INA120AP的最大压摆率为4 mA.其最大电压增益为1000，最小电压增益为1。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，INA120AP增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为2 MHz。
INA120AP的标称供电电压为15 V，其对应的标称负供电电压为-15 V。INA120AP的输入失调电压为2200 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）
INA120AP的相关尺寸：
INA120AP的宽度为：7.62 mm，长度为22.86 mmINA120AP拥有18个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚：18
INA120AP放大器其他信息：
其温度等级为：OTHER。INA120AP不符合Rohs认证。其含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为：R-PDIP-T18。INA120AP的封装代码是：DIP。
INA120AP封装的材料多为PLASTIC/EPOXY。而其封装形状为RECTANGULAR。INA120AP封装引脚的形式有：IN-LINE。其端子形式有：THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.33 mm。
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Texas Instruments |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | PLASTIC, DIP-18 |
| 针数 | 18 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | INSTRUMENTATION AMPLIFIER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.05 µA |
| 标称带宽 (3dB) | 2 MHz |
| 最小共模抑制比 | 70 dB |
| 最大输入失调电流 (IIO) | 0.05 µA |
| 最大输入失调电压 | 2200 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T18 |
| 长度 | 22.86 mm |
| 负供电电压上限 | -18 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 最大非线性 | 0.1% |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 18 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -25 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP18,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.33 mm |
| 标称压摆率 | 0.6 V/us |
| 最大压摆率 | 4 mA |
| 供电电压上限 | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 最大电压增益 | 1000 |
| 最小电压增益 | 1 |
| 标称电压增益 | 10 |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| INA120AP | INA120CG | INA120BG | |
|---|---|---|---|
| 描述 | INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 2200uV OFFSET-MAX, 2MHz BAND WIDTH, PDIP18, PLASTIC, DIP-18 | INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 625uV OFFSET-MAX, 2MHz BAND WIDTH, CDIP18, CERAMIC, DIP-18 | INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 1100uV OFFSET-MAX, 2MHz BAND WIDTH, CDIP18, CERAMIC, DIP-18 |
| Brand Name | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | DIP | DIP | DIP |
| 包装说明 | PLASTIC, DIP-18 | CERAMIC, DIP-18 | CERAMIC, DIP-18 |
| 针数 | 18 | 18 | 18 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | INSTRUMENTATION AMPLIFIER | INSTRUMENTATION AMPLIFIER | INSTRUMENTATION AMPLIFIER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.05 µA | 0.02 µA | 0.02 µA |
| 标称带宽 (3dB) | 2 MHz | 2 MHz | 2 MHz |
| 最小共模抑制比 | 70 dB | 80 dB | 74 dB |
| 最大输入失调电流 (IIO) | 0.05 µA | 0.01 µA | 0.02 µA |
| 最大输入失调电压 | 2200 µV | 625 µV | 1100 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T18 | R-CDIP-T18 | R-CDIP-T18 |
| 负供电电压上限 | -18 V | -18 V | -18 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V | -15 V |
| 最大非线性 | 0.1% | 0.05% | 0.1% |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 18 | 18 | 18 |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -25 °C | -25 °C | -25 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP18,.3 | DIP18,.3 | DIP18,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-15 V | +-15 V | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 标称压摆率 | 0.6 V/us | 0.6 V/us | 0.6 V/us |
| 最大压摆率 | 4 mA | 4 mA | 4 mA |
| 供电电压上限 | 18 V | 18 V | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V | 15 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO |
| 技术 | BIPOLAR | BIPOLAR | BIPOLAR |
| 温度等级 | OTHER | OTHER | OTHER |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 最大电压增益 | 1000 | 1000 | 1000 |
| 最小电压增益 | 1 | 1 | 1 |
| 标称电压增益 | 10 | 10 | 10 |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
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