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IRFR310

产品描述Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小29KB,共1页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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IRFR310概述

Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3

IRFR310规格参数

参数名称属性值
厂商名称SAMSUNG(三星)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknown
雪崩能效等级(Eas)60 mJ
配置SINGLE
最小漏源击穿电压400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)1.7 A
最大漏极电流 (ID)1.7 A
最大漏源导通电阻3.6 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值25 W
最大功率耗散 (Abs)25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)3.5 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)49 ns
最大开启时间(吨)27 ns
Base Number Matches1
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