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BZM55C9V1-13

产品描述Zener Diode, 9.1V V(Z), 6.08%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS, MICROMELF-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小66KB,共3页
制造商Diodes Incorporated
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BZM55C9V1-13概述

Zener Diode, 9.1V V(Z), 6.08%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS, MICROMELF-2

BZM55C9V1-13规格参数

参数名称属性值
厂商名称Diodes Incorporated
零件包装代码MELF
包装说明O-LELF-R2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JESD-30 代码O-LELF-R2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压9.1 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
最大电压容差6.08%
工作测试电流5 mA
Base Number Matches1

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BZM55C2V4 - BZM55C75
500mW SURFACE MOUNT ZENER DIODE
Features
·
·
·
·
500mW Power Dissipation
High Stability
Low Noise
Hemetic Package
D
B
A
Mechanical Data
·
·
·
·
·
Case: MicroMELF, Glass
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,
Method 208
Polarity: Cathode Band
Marking: Cathode Band Only
Weight: 0.012 grams (approx.)
MicroMELF
Dim
A
B
C
Min
1.8
1.20
Max
2.0
1.25
1.35Æ Typical
All Dimensions in mm
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Characteristic
Power Dissipation
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air
Forward Voltage
(Note 1)
(Note 1)
P
d
R
qJA
V
F
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
Value
500
300
1.5
-65 to +175
Unit
mW
K/W
V
°C
Symbol
@ I
F
= 200mA
Operating and Storage Temperature Range
T
j,
T
STG
Notes:
1. Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature at a distance of 8.0mm from case.
2. Tested with pulses, T
p
= 100ms.
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