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IXGQ6N170AM

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, TO-3PM, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小516KB,共2页
制造商IXYS
标准
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IXGQ6N170AM概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, TO-3PM, 3 PIN

IXGQ6N170AM规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IXYS
零件包装代码TO-3PM
包装说明PLASTIC, TO-3PM, 3 PIN
针数2
Reach Compliance Codecompliant
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)6 A
集电极-发射极最大电压1700 V
配置SINGLE
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)271 ns
标称接通时间 (ton)91 ns
Base Number Matches1

IXGQ6N170AM相似产品对比

IXGQ6N170AM
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, TO-3PM, 3 PIN
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
厂商名称 IXYS
零件包装代码 TO-3PM
包装说明 PLASTIC, TO-3PM, 3 PIN
针数 2
Reach Compliance Code compliant
外壳连接 ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 6 A
集电极-发射极最大电压 1700 V
配置 SINGLE
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 MOTOR CONTROL
晶体管元件材料 SILICON
标称断开时间 (toff) 271 ns
标称接通时间 (ton) 91 ns
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