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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> IDT7M6052S45CKB
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IDT7M6052S45CKB

产品描述SRAM Module, 4KX80, 65ns, CMOS, CQIP128, CERAMIC, QIP-128
产品类别存储    存储   
文件大小813KB，共21页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7M6052S45CKB概述

SRAM Module, 4KX80, 65ns, CMOS, CQIP128, CERAMIC, QIP-128

IDT7M6052S45CKB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFP
包装说明CERAMIC, QIP-128
针数128
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间65 ns
JESD-30 代码R-CQIP-T128
JESD-609代码e0
长度81.28 mm
内存密度327680 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度80
功能数量1
端子数量128
字数4096 words
字数代码4000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织4KX80
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码QIP
封装等效代码QI128,0.7/0.9,100
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度8.128 mm
最大待机电流0.925 A
最大压摆率1.3 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度22.86 mm
Base Number Matches1

IDT7M6052S45CKB相似产品对比

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描述 SRAM Module, 4KX80, 65ns, CMOS, CQIP128, CERAMIC, QIP-128 SRAM Module, 4KX80, 50ns, CMOS, CQIP128, CERAMIC, QIP-128 SRAM Module, 4KX80, 50ns, CMOS, CQIP128, CERAMIC, QIP-128 SRAM Module, 4KX80, 80ns, CMOS, CQIP128, CERAMIC, QIP-128 SRAM Module, 4KX80, 37ns, CMOS, CQIP128, CERAMIC, QIP-128 SRAM Module, 4KX80, 65ns, CMOS, CQIP128, CERAMIC, QIP-128 SRAM Module, 4KX80, 80ns, CMOS, CQIP128, CERAMIC, QIP-128
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 QFP QFP QFP QFP QFP QFP QFP
包装说明 CERAMIC, QIP-128 CERAMIC, QIP-128 CERAMIC, QIP-128 CERAMIC, QIP-128 CERAMIC, QIP-128 CERAMIC, QIP-128 CERAMIC, QIP-128
针数 128 128 128 128 128 128 128
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant _compli _compli
ECCN代码 3A001.A.2.C EAR99 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 65 ns 50 ns 50 ns 80 ns 37 ns 65 ns 80 ns
JESD-30 代码 R-CQIP-T128 R-CQIP-T128 R-CQIP-T128 R-CQIP-T128 R-CQIP-T128 R-CQIP-T128 R-CQIP-T128
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 81.28 mm 81.28 mm 81.28 mm 81.28 mm 81.28 mm 81.28 mm 81.28 mm
内存密度 327680 bit 327680 bit 327680 bit 327680 bit 327680 bit 327680 bi 327680 bi
内存集成电路类型 SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE
内存宽度 80 80 80 80 80 80 80
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 128 128 128 128 128 128 128
字数 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words
字数代码 4000 4000 4000 4000 4000 4000 4000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 70 °C 125 °C 125 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4KX80 4KX80 4KX80 4KX80 4KX80 4KX80 4KX80
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 QIP QIP QIP QIP QIP QIP QIP
封装等效代码 QI128,0.7/0.9,100 QI128,0.7/0.9,100 QI128,0.7/0.9,100 QI128,0.7/0.9,100 QI128,0.7/0.9,100 QI128,0.7/0.9,100 QI128,0.7/0.9,100
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 8.128 mm 8.128 mm 8.128 mm 8.128 mm 8.128 mm 8.128 mm 8.128 mm
最大待机电流 0.925 A 0.825 A 0.925 A 0.925 A 0.85 A 0.825 A 0.825 A
最大压摆率 1.3 mA 1.3 mA 1.4 mA 1.25 mA 1.35 mA 1.225 mA 1.175 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY COMMERCIAL MILITARY MILITARY COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 22.86 mm 22.86 mm 22.86 mm 22.86 mm 22.86 mm 22.86 mm 22.86 mm

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