EBJ51UE6BASA-DG-E,EBJ51UE6BASA-DG-E pdf中文资料,EBJ51UE6BASA-DG-E引脚图,EBJ51UE6BASA-DG-E电路-Datasheet-电子工程世界

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EBJ51UE6BASA-DG-E: 产品描述DDR DRAM Module, 64MX64, 0.255ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM, 204 PIN; 产品类别存储存储; 文件大小216KB，共19页; 制造商ELPIDA; 官网地址http://www.elpida.com/en; 标准

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EBJ51UE6BASA-DG-E概述

DDR DRAM Module, 64MX64, 0.255ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM, 204 PIN

EBJ51UE6BASA-DG-E规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ELPIDA
零件包装代码	DMA
包装说明	DIMM, DIMM204,24
针数	204
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.255 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	667 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N204
内存密度	4294967296 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	204
字数	67108864 words
字数代码	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度
组织	64MX64
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM204,24
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	1.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
自我刷新	YES
最大待机电流	0.056 A
最大压摆率	1.52 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.575 V
最小供电电压 (Vsup)	1.425 V
标称供电电压 (Vsup)	1.5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.6 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

EBJ51UE6BASA-DG-E相似产品对比

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描述	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.255ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM, 204 PIN	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.255ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM, 204 PIN	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.3ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM, 204 PIN	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.3ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM, 204 PIN	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM, 204 PIN	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM, 204 PIN	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.3ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM, 204 PIN
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	DMA	DMA	DMA	DMA	DMA	DMA	DMA
包装说明	DIMM, DIMM204,24	DIMM, DIMM204,24	DIMM, DIMM204,24	DIMM, DIMM204,24	DIMM, DIMM204,24	DIMM, DIMM204,24	DIMM, DIMM204,24
针数	204	204	204	204	204	204	204
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.255 ns	0.255 ns	0.3 ns	0.3 ns	0.4 ns	0.4 ns	0.3 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	667 MHz	667 MHz	533 MHz	533 MHz	400 MHz	400 MHz	533 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N204	R-XDMA-N204	R-XDMA-N204	R-XDMA-N204	R-XDMA-N204	R-XDMA-N204	R-XDMA-N204
内存密度	4294967296 bit	4294967296 bit	4294967296 bit	4294967296 bit	4294967296 bit	4294967296 bit	4294967296 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64	64	64	64	64	64	64
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	204	204	204	204	204	204	204
字数	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words
字数代码	64000000	64000000	64000000	64000000	64000000	64000000	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
组织	64MX64	64MX64	64MX64	64MX64	64MX64	64MX64	64MX64
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM204,24	DIMM204,24	DIMM204,24	DIMM204,24	DIMM204,24	DIMM204,24	DIMM204,24
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大待机电流	0.056 A	0.056 A	0.052 A	0.052 A	0.048 A	0.048 A	0.052 A
最大压摆率	1.52 mA	1.52 mA	1.32 mA	1.32 mA	1.26 mA	1.26 mA	1.32 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.575 V	1.575 V	1.575 V	1.575 V	1.575 V	1.575 V	1.575 V
最小供电电压 (Vsup)	1.425 V	1.425 V	1.425 V	1.425 V	1.425 V	1.425 V	1.425 V
标称供电电压 (Vsup)	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	0.6 mm	0.6 mm	0.6 mm	0.6 mm	0.6 mm	0.6 mm	0.6 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
厂商名称	ELPIDA	ELPIDA	-	ELPIDA	ELPIDA	ELPIDA	ELPIDA

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