IRHN7150PBF,IRHN7150PBF pdf中文资料,IRHN7150PBF引脚图,IRHN7150PBF电路-Datasheet-电子工程世界

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IRHN7150PBF: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-1, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小630KB，共8页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/; 标准

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IRHN7150PBF概述

Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-1, 3 PIN

IRHN7150PBF规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	RADIATION HARDENED
雪崩能效等级（Eas）	500 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V
最大漏极电流 (ID)	34 A
最大漏源导通电阻	0.07 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-CBCC-N3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	136 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	NO LEAD
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	300 ns
最大开启时间（吨）	235 ns
Base Number Matches	1

IRHN7150PBF相似产品对比

	IRHN7150PBF	IRHN7150
描述	Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-1, 3 PIN	34 A, 100 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
是否无铅	不含铅	含铅
是否Rohs认证	符合	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数	3	3
Reach Compliance Code	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
其他特性	RADIATION HARDENED	RADIATION HARDENED
雪崩能效等级（Eas）	500 mJ	500 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V	100 V
最大漏极电流 (ID)	34 A	34 A
最大漏源导通电阻	0.07 Ω	0.07 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-CBCC-N3	R-CBCC-N3
元件数量	1	1
端子数量	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	260	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	100 W	100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	136 A	136 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子形式	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
最大关闭时间（toff）	300 ns	300 ns
最大开启时间（吨）	235 ns	235 ns
Base Number Matches	1	1

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