Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | NEC(日电) |
| 包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.13 |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 50 V |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 95 |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 最大关闭时间（toff） | 6000 ns |
| 最大开启时间（吨） | 300 ns |
| Base Number Matches | 1 |
| BN1F4N-A | |
|---|---|
| 描述 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
| 厂商名称 | NEC(日电) |
| 包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.13 |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 50 V |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 95 |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 最大关闭时间（toff） | 6000 ns |
| 最大开启时间（吨） | 300 ns |
| Base Number Matches | 1 |
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