电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

1N5153A

产品描述X BAND, 2GHz, SILICON, STEP RECOVERY DIODE, HERMETIC SEALED PACKAGE-1
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小113KB,共4页
制造商TE Connectivity(泰科)
官网地址http://www.te.com
下载文档 详细参数 全文预览

1N5153A概述

X BAND, 2GHz, SILICON, STEP RECOVERY DIODE, HERMETIC SEALED PACKAGE-1

1N5153A规格参数

参数名称属性值
包装说明O-MUMW-N1
针数1
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH EFFICIENCY
最小击穿电压75 V
配置SINGLE
最大二极管电容6.6 pF
最小二极管电容5.4 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型STEP RECOVERY DIODE
频带X BAND
JESD-30 代码O-MUMW-N1
元件数量1
端子数量1
最大输出频率2 GHz
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式MICROWAVE
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
Base Number Matches1

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2144  2513  1063  1367  1754  44  51  22  28  36 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved