电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

3SK136IV-UL

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.035A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小145KB,共1页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
下载文档 详细参数 全文预览

3SK136IV-UL概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.035A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

3SK136IV-UL规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (ID)0.035 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G4
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 212  771  837  1363  1677 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved