54ACT11000J概述

ACT SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, CDIP16, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-16

54ACT11000J规格参数

	54ACT11000J	54ACT11000FK
描述	ACT SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, CDIP16, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-16	ACT SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, CQCC20, CERAMIC, LCC-20
零件包装代码	DIP	QLCC
包装说明	DIP, DIP16,.3	QCCN, LCC20,.35SQ
针数	16	20
Reach Compliance Code	unknown	unknown
其他特性	CENTER PIN VCC AND GND	CENTER PIN VCC AND GND
系列	ACT	ACT
JESD-30 代码	R-GDIP-T16	S-CQCC-N20
长度	19.56 mm	8.89 mm
负载电容（CL）	50 pF	50 pF
逻辑集成电路类型	NAND GATE	NAND GATE
最大I（ol）	0.024 A	0.024 A
功能数量	4	4
输入次数	2	2
端子数量	16	20
最高工作温度	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP	QCCN
封装等效代码	DIP16,.3	LCC20,.35SQ
封装形状	RECTANGULAR	SQUARE
封装形式	IN-LINE	CHIP CARRIER
电源	5 V	5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup	13.3 ns	13.3 ns
传播延迟（tpd）	9.5 ns	9.5 ns
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
施密特触发器	NO	NO
座面最大高度	5.08 mm	2.03 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V
表面贴装	NO	YES
技术	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY
端子形式	THROUGH-HOLE	NO LEAD
端子节距	2.54 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	QUAD
宽度	7.62 mm	8.89 mm
Base Number Matches	1	1

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W