AM27C512-125DIB概述

UVPROM, 64KX8, 120ns, CMOS, CDIP28, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28

AM27C512-125DIB规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Rochester Electronics
包装说明	DIP,
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	120 ns
JESD-30 代码	R-GDIP-T28
JESD-609代码	e0
长度	37.1475 mm
内存密度	524288 bit
内存集成电路类型	UVPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	28
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	64KX8
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
座面最大高度	5.588 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
宽度	15.24 mm
Base Number Matches	1

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AM27C512-125DIB相似产品对比

	AM27C512-125DIB	AM27C512-125DC	AM27C512-125DCB	AM27C512-125DI	AM27C512-95DC	AM27C512-95DIB	AM27C512-95LI
描述	UVPROM, 64KX8, 120ns, CMOS, CDIP28, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28	UVPROM, 64KX8, 120ns, CMOS, CDIP28, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28	UVPROM, 64KX8, 120ns, CMOS, CDIP28, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28	UVPROM, 64KX8, 120ns, CMOS, CDIP28, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28	UVPROM, 64KX8, 90ns, CMOS, CDIP28, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28	UVPROM, 64KX8, 90ns, CMOS, CDIP28, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28	UVPROM, 64KX8, 90ns, CMOS, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32
包装说明	DIP,	DIP,	DIP,	WINDOWED, CERAMIC, DIP-28	DIP,	DIP,	WINDOWED, CERAMIC, LCC-32
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	120 ns	120 ns	120 ns	120 ns	90 ns	90 ns	90 ns
JESD-30 代码	R-GDIP-T28	R-GDIP-T28	R-GDIP-T28	R-GDIP-T28	R-GDIP-T28	R-GDIP-T28	R-CQCC-N32
长度	37.1475 mm	37.1475 mm	37.1475 mm	37.1475 mm	37.1475 mm	37.1475 mm	13.97 mm
内存密度	524288 bit	524288 bit	524288 bit	524288 bit	524288 bit	524288 bit	524288 bit
内存集成电路类型	UVPROM	UVPROM	UVPROM	UVPROM	UVPROM	UVPROM	UVPROM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	28	28	28	28	28	28	32
字数	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000	64000	64000	64000	64000	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	70 °C	70 °C	85 °C	70 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-	-	-40 °C	-	-40 °C	-40 °C
组织	64KX8	64KX8	64KX8	64KX8	64KX8	64KX8	64KX8
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	QCCN
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
座面最大高度	5.588 mm	5.588 mm	5.588 mm	5.588 mm	5.588 mm	5.588 mm	3.556 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	NO LEAD
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	QUAD
宽度	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm	11.43 mm
厂商名称	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics	-	Rochester Electronics	Rochester Electronics
Base Number Matches	1	1	1	1	1	-	-

AM27C512-125DIB

AM27C512-125DIB概述

AM27C512-125DIB规格参数

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