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IR255SG12HCB

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, 4 INCH, WAFER
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小126KB,共3页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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IR255SG12HCB概述

Silicon Controlled Rectifier, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, 4 INCH, WAFER

IR255SG12HCB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码WAFER
包装说明UNCASED CHIP, O-XUUC-N
Reach Compliance Codecompliant
配置SINGLE
最大直流栅极触发电流80 mA
最大直流栅极触发电压2 V
最大维持电流100 mA
JESD-30 代码O-XUUC-N
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
断态重复峰值电压1200 V
重复峰值反向电压1200 V
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
触发设备类型SCR
Base Number Matches1

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Preliminary Data Sheet I0211J 12/99
IR255SG..HCB
PHASE CONTROL THYRISTORS
Junction Size:
Wafer Size:
V
RRM
Class:
Passivation Process:
Square 250 mils
4"
600 to 1200 V
Glassivated MESA
Reference IR Packaged Part:
n. a.
Major Ratings and Characteristics
Parameters
V
TM
Maximum On-state Voltage
Units
1.25 V
Test Conditions
T
J
= 25°C, I
T
= 25 A
(1)
V
DRM
/V
RRM
Direct and Reverse Breakdown Voltage
I
GT
V
GT
I
H
I
L
Max. Required DC Gate Current to Trigger
Max. Required DC Gate Voltage to Trigger
Holding Current Range
Maximum Latching Current
600 to 1200 V T
J
= 25°C, I
DRM
/I
RRM
= 100 µA
80 mA
2V
5 to 100 mA
300 mA
T
J
= 25° C, anode supply = 6 V, resistive load
T
J
= 25° C, anode supply = 6 V, resistive load
Anode supply = 6 V, resistive load
Anode supply = 6 V, resistive load
(1)
Nitrogen flow on die edge.
Mechanical Characteristics
Nominal Back Metal Composition, Thickness
Nominal Front Metal Composition, Thickness
Chip Dimensions
Wafer Diameter
Wafer Thickness
Maximum Width of Sawing Line
Reject Ink Dot Size
Ink Dot Location
Recommended Storage Environment
Cr - Ni - Ag (1 KA - 4 KA - 6 KA)
Cr - Ni - Ag (1 KA - 4 KA - 6 KA)
250 x 250 mils (see drawing)
100 mm, with std. <110> flat
330 µm ± 10 µm
130 µm
0.25 mm diameter minimum
See drawing
Storage in original container, in dessicated
nitrogen, with no contamination
www.irf.com
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