35 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
35 A, 1200 V, N沟道 IGBT
参数名称 | 属性值 |
端子数量 | 3 |
额定关断时间 | 330 ns |
最大集电极电流 | 35 A |
最大集电极发射极电压 | 1200 V |
加工封装描述 | ALTERNATE VERSION, TO-220AB, 3 PIN |
无铅 | Yes |
状态 | ACTIVE |
包装形状 | RECTANGULAR |
包装尺寸 | FLANGE MOUNT |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子涂层 | MATTE TIN |
端子位置 | SINGLE |
包装材料 | PLASTIC/EPOXY |
结构 | SINGLE |
壳体连接 | COLLECTOR |
元件数量 | 1 |
晶体管应用 | MOTOR CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
通道类型 | N-CHANNEL |
晶体管类型 | INSULATED GATE BIPOLAR |
额定导通时间 | 32 ns |
HGTP10N120BN | HGT1S10N120BNS | HGTG10N120BN | |
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描述 | 35 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT | 35 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB | 35 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
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