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HGTG12N60A4D: 产品描述54 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小163KB，共8页; 制造商Fairchild; 官网地址http://www.fairchildsemi.com/; 标准

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54 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247

54 A, 600 V, N沟道 IGBT, TO-247

参数名称	属性值
Brand Name	Fairchild Semiconduc
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	TO-247
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3
制造商包装代码	TO-247,MOLDED,3 LEAD,JEDEC VARIATION AB
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	EAR99
Samacsys Confidence	4
Samacsys Status	Released
Samacsys PartID	985894
Samacsys Pin Cou	3
Samacsys Part Category	Transis
Samacsys Package Category	Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name	TO−247−3LD CASE 340CK ISSUE O
Samacsys Released Date	2017-11-15 14:13:44
Is Samacsys	N
其他特性	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	54 A
集电极-发射极最大电压	600 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）	95 ns
门极-发射极最大电压	20 V
JEDEC-95代码	TO-247
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	167 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	POWER CONTROL
晶体管元件材料	SILICON
标称断开时间 (toff)	180 ns
标称接通时间 (ton)	33 ns
Base Number Matches	1

	HGTG12N60A4D	HGTP12N60A4D
描述	54 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247	54 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
Brand Name	Fairchild Semiconduc	Fairchild Semiconduc
是否无铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合
零件包装代码	TO-247	TO-220
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3	3
制造商包装代码	TO-247,MOLDED,3 LEAD,JEDEC VARIATION AB	TO-220, MOLDED, 3LEAD, JEDEC VARIATION AB
Reach Compliance Code	_compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99
Is Samacsys	N	N
其他特性	LOW CONDUCTION LOSS	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接	COLLECTOR	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	54 A	54 A
集电极-发射极最大电压	600 V	600 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）	95 ns	95 ns
门极-发射极最大电压	20 V	20 V
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e3	e3
元件数量	1	1
端子数量	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	167 W	167 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子面层	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	POWER CONTROL	POWER CONTROL
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
标称断开时间 (toff)	180 ns	180 ns
标称接通时间 (ton)	33 ns	33 ns
Base Number Matches	1	1

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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