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Datasheet> 器件分类 > 逻辑> 逻辑> 5962F9565101VXC
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5962F9565101VXC

产品描述AC SERIES, QUAD 2-INPUT AND GATE, CDFP14, CERAMIC, DFP-14
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小48KB，共2页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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5962F9565101VXC概述

AC SERIES, QUAD 2-INPUT AND GATE, CDFP14, CERAMIC, DFP-14

5962F9565101VXC规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DFP
包装说明DFP, FL14,.3
针数14
Reach Compliance Codenot_compliant
系列AC
JESD-30 代码R-CDFP-F14
JESD-609代码e0
负载电容（CL）50 pF
逻辑集成电路类型AND GATE
最大I（ol）0.008 A
功能数量4
输入次数2
端子数量14
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DFP
封装等效代码FL14,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
电源5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup15 ns
传播延迟（tpd）15 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器NO
筛选级别MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度2.92 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式FLAT
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
总剂量300k Rad(Si) V
宽度6.285 mm
Base Number Matches1

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ACS08MS
July 1998
Radiation Hardened
Quad 2-Input AND Gate
Description
The Radiation Hardened ACS08MS is a Quad 2-Input AND
Gate. For each gate, a HIGH level on both the A and B
inputs results in a HIGH level on the Y output. A LOW level
on either the A or B input results in a LOW level on the Y
output. All inputs are buffered and the outputs are designed
for balanced propagation delay and transition times.
The ACS08MS is fabricated on a CMOS Silicon on
Sapphire (SOS) process, which provides an immunity to
Single Event Latch-up and the capability of highly reliable
performance in any radiation environment. These devices
offer significant power reduction and faster performance
when compared to ALSTTL types.
Specifications for Rad Hard QML devices are controlled
by the Defense Supply Center in Columbus (DSCC). The
SMD numbers listed below must be used when ordering.
Detailed Electrical Specifications for the ACS08 are
contained in SMD 5962-95651. A “hot-link” is provided
on our homepage with instructions for downloading.
www.intersil.com/data/sm/index.asp
Features
• QML Qualified Per MIL-PRF-38535 Requirements
• 1.25Micron Radiation Hardened SOS CMOS
• Radiation Environment
- Latch-up Free Under any Conditions
- Total Dose . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 x 10
5
RAD(Si)
- SEU Immunity . . . . . . . . . . . <1 x 10
-10
Errors/Bit/Day
- SEU LET Threshold . . . . . . . . . . . >100MeV/(mg/cm
2
)
• Input Logic Levels . . .V
IL
= (0.3)(V
CC
), V
IH
= (0.7)(V
CC
)
• Output Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±8mA
(Min)
• Quiescent Supply Current. . . . . . . . . . . . . 100µA (Max)
• Propagation Delay . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15ns (Max)
Applications
• High Speed Control Circuits
• Sensor Monitoring
• Low Power Designs
Ordering Information
ORDERING NUMBER
5962F9565101VCC
ACS08D/SAMPLE
5962F9565101VXC
ACS08K/SAMPLE
5962F9565101V9A
INTERNAL MARKETING NUMBER
ACS08DMSR
ACS08D/SAMPLE
ACS08KMSR
ACS08K/SAMPLE
ACS08HMSR
TEMP. RANGE (
o
C)
-55 to 125
25
-55 to 125
25
25
PACKAGE
14 Ld SBDIP
14 Ld SBDIP
14 Ld Flatpack
14 Ld Flatpack
Die
DESIGNATOR
CDIP2-T14
CDIP2-T14
CDFP4-F14
CDFP4-F14
N/A
Pinouts
ACS08 (SBDIP)
TOP VIEW
A1 1
B1 2
Y1 3
A2 4
B2 5
Y2 6
GND 7
14 V
CC
13 B4
12 A4
11 Y4
10 B3
9 A3
8 Y3
ACS08 (FLATPACK)
TOP VIEW
A1
B1
Y1
A2
B2
Y2
GND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V
CC
B4
A4
Y4
B3
A3
Y3
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.
1-888-INTERSIL or 321-724-7143 | Copyright © Intersil Corporation 1999
File Number
3993.1
1

5962F9565101VXC相似产品对比

5962F9565101VXC 5962F9565101V9A 5962F9565101VCC
描述 AC SERIES, QUAD 2-INPUT AND GATE, CDFP14, CERAMIC, DFP-14 QUAD 2-INPUT AND GATE, UUC14 AC SERIES, QUAD 2-INPUT AND GATE, CDIP14
零件包装代码 DFP DIE DIP
包装说明 DFP, FL14,.3 DIE, DIP, DIP14,.3
针数 14 16 14
Reach Compliance Code not_compliant unknown not_compliant
系列 AC AC AC
JESD-30 代码 R-CDFP-F14 X-XUUC-N16 R-CDIP-T14
JESD-609代码 e0 e0 e0
逻辑集成电路类型 AND GATE AND GATE AND GATE
功能数量 4 4 4
输入次数 2 2 2
端子数量 14 16 14
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED UNSPECIFIED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DFP DIE DIP
封装形状 RECTANGULAR UNSPECIFIED RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK UNCASED CHIP IN-LINE
传播延迟（tpd） 15 ns 15 ns 15 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
筛选级别 MIL-PRF-38535 Class V MIL-PRF-38535 Class V MIL-PRF-38535 Class V
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 FLAT NO LEAD THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL UPPER DUAL
总剂量 300k Rad(Si) V 300k Rad(Si) V 300k Rad(Si) V
是否Rohs认证 不符合 - 不符合
负载电容（CL） 50 pF - 50 pF
最大I（ol） 0.008 A - 0.008 A
封装等效代码 FL14,.3 - DIP14,.3
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
电源 5 V - 5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup 15 ns - 15 ns
施密特触发器 NO - NO
座面最大高度 2.92 mm - 5.08 mm
端子节距 1.27 mm - 2.54 mm
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
宽度 6.285 mm - 7.62 mm
Base Number Matches 1 1 -

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