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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> HF5-12F
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HF5-12F

产品描述UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小16KB，共1页
制造商ASI [ASI Semiconductor, Inc]
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HF5-12F概述

UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR

HF5-12F规格参数

参数名称属性值
最大集电极电流25 A
最大集电极发射极电压30 V
端子数量4
加工封装描述FM-4
状态Active
最大集电极基极电容100 pF
结构Single
最小直流放大倍数15
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
jesd_30_codeR-CDFM-F4
最大工作温度200 Cel
包装材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸FLANGE MOUNT
larity_channel_typeNPN
wer_dissipation_max__abs_310 W
qualification_statusCOMMERCIAL
sub_categoryOther Transistors
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

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PT3642
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The
ASI PT3642
is Designed for
Class A,B,C Amplifier, Oscillator and
Driver Applications Covering 130 to
400MHz.
PACKAGE STYLE TO- 60
FEATURES INCLUDE:
•
Emitter Ballasted
•
Common Emitter Package
MAXIMUM RATINGS
I
C
V
CE
P
DISS
T
J
T
STG
θ
JC
3.0 A
40 V
23 W @ T
C
= 25 °C
-65 °C to +200 °C
-65 °C to +200 °C
7.6 °C/W
1 = EMITTER
3 = COLLECTOR
2 = BASE
CASE = EMITTER
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BV
CEO
BV
CEX
BV
CBO
I
CEO
I
EBO
h
FE
C
ob
f
t
P
out
G
P
η
C
T
C
= 25 °C
TEST CONDITIONS
I
C
= 200 mA
I
C
= 200 mA
I
C
= 500
µA
V
CE
= 30 V
V
EB
= 4.0 V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 30 V
V
CE
= 28 V
I
C
= 150 mA
I
C
= 1.0 A
f = 1.0 MHz
f = 100 MHz
V
BE
= -1.5 V
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
40
65
65
250
250
5.0
20
400
13.5
5.8
70
UNITS
V
V
V
µ
A
µ
A
---
pF
MHz
W
dB
%
V
CE
= 28 V
f = 175 MHz
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
•
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
•
(818) 982-1200
•
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
REV. A
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HF5-12F相似产品对比

HF5-12F ASIPT3642
描述 UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
最大集电极电流 25 A 25 A
最大集电极发射极电压 30 V 30 V
端子数量 4 4
加工封装描述 FM-4 FM-4
状态 Active Active
最大集电极基极电容 100 pF 100 pF
结构 Single Single
最小直流放大倍数 15 15
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
jesd_30_code R-CDFM-F4 R-CDFM-F4
最大工作温度 200 Cel 200 Cel
包装材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
包装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
包装尺寸 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
larity_channel_type NPN NPN
wer_dissipation_max__abs_ 310 W 310 W
qualification_status COMMERCIAL COMMERCIAL
sub_category Other Transistors Other Transistors
表面贴装 YES YES
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON

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