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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> UFMMT722
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UFMMT722

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小485KB，共4页
制造商Diodes Incorporated
标准
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UFMMT722概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN

UFMMT722规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Diodes Incorporated
零件包装代码SOT-23
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1.5 A
集电极-发射极最大电压70 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz
Base Number Matches1

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SuperSOT
SOT23 PNP SILICON POWER
(SWITCHING) TRANSISTORS
ISSUE 3 JUNE 1996
FEATURES
FMMT717 FMMT718
FMMT720 FMMT722
FMMT723
*
*
*
*
*
*
625mW POWER DISSIPATION
C
B
E
I
C
CONT 2.5A
I
C
Up To 10A Peak Pulse Current
Excellent h
fe
Characteristics Up To 10A (pulsed)
Extremely Low Saturation Voltage E.g. 10mV Typ.
Exhibits extremely low equivalent on-resistance;
R
CE(sat)
DEVICE TYPE
FMMT717
FMMT718
FMMT720
FMMT722
FMMT723
COMPLEMENT
FMMT617
FMMT618
FMMT619
–
FMMT624
PARTMARKING
717
718
720
722
723
R
CE(sat)
72m
Ω
at 2.5A
97m
Ω
at 1.5A
163m
Ω
at 1.5A
-
-
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Peak Pulse Current**
Continuous Collector Current
Base Current
Power Dissipation at T
amb
=25°C*
Operating and Storage
Temperature Range
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
tot
T
j
:T
stg
FMMT
717
-12
-12
-5
-10
-2.5
FMMT
718
-20
-20
-5
-6
-1.5
FMMT
720
-40
-40
-5
-4
-1.5
-500
625
-55 to +150
FMMT
722
-70
-70
-5
-3
-1.5
FMMT
723
-100
-100
-5
-2.5
-1
UNIT
V
V
V
A
A
mA
mW
°C
*Maximum power dissipation is calculated assuming that the device is mounted on a ceramic
substrate measuring 15x15x0.6mm
**Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
µ
s. Duty cycle
≤
2%
Spice parameter data is available upon request for these devices
3 - 159

UFMMT722相似产品对比

UFMMT722 UFMMT717 UFMMT723
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 2.5A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN
是否Rohs认证 符合 符合 符合
零件包装代码 SOT-23 SOT-23 SOT-23
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 1.5 A 2.5 A 1 A
集电极-发射极最大电压 70 V 12 V 100 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 40 45 250
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3 e3 e3
湿度敏感等级 1 1 1
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） 260 NOT SPECIFIED 260
极性/信道类型 PNP PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 NOT SPECIFIED 40
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 200 MHz 110 MHz 200 MHz
Base Number Matches 1 1 1
厂商名称 Diodes Incorporated - Diodes Incorporated

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