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HF20-12F

产品描述VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小18KB,共1页
制造商ASI [ASI Semiconductor, Inc]
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HF20-12F概述

VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR

特高频波段, 硅, NPN, 射频功率晶体管

HF20-12F规格参数

参数名称属性值
最大集电极电流4.5 A
最大集电极发射极电压18 V
端子数量4
加工封装描述0.380 INCH, FM-4
状态Active
壳体连接EMITTER
结构SINGLE
最小直流放大倍数10
最高频带VERY HIGH FREQUENCY BAND
jesd_30_codeO-CRFM-F4
元件数量1
最大工作温度200 Cel
包装材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
包装形状ROUND
包装尺寸FLANGE MOUNT
larity_channel_typeNPN
wer_dissipation_max__abs_80 W
qualification_statusCOMMERCIAL
sub_categoryOther Transistors
表面贴装NO
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

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HF20-12F
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The
HF20-12F
is Designed for 12.5 V
Class AB & C HF Power Amplifier
Applications in the 2 to 32 MHz Band.
FEATURES INCLUDE:
Replacement for
MRF433
&
SD1285
P
G
= 18 dB Typical at 30MHz & 20W
Withstands
20:1 Load VSWR
MAXIMUM RATINGS
I
C
V
CB
V
CE
V
EB
P
DISS
T
J
T
STG
θ
JC
4.5 A
36 V
18 V
4.0 V
80 W @ T
C
= 25
O
C
-65
O
C to +200
O
C
-65
O
C to +150
O
C
2.2 C/W
O
PACKAGE STYLE .380" 4L FLANGE
1 = COLLECTOR
2 = BASE
3 & 4 = EMITTER
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BV
CBO
BV
CES
BV
CEO
BV
EBO
I
CES
h
FE
C
OB
G
PE
IMD
3
η
C
I
C
= 50 mA
I
C
= 50 mA
I
C
= 50 mA
I
E
= 5.0 mA
V
CE
= 15 V
T
C
= 25
O
C
TEST CONDITIONS
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
36
36
18
4.0
5
UNITS
V
V
V
V
mA
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 12.5 V
V
CC
= 12.5 V
I
C
= 1.0 A
f = 1.0 MHz
I
CQ
= 25 mA
P
OUT
= 20 W
(
PEP
)
f = 30.000 & 30.001 MHz
10
100
15
-30
55
18
200
pF
dB
dBc
%
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
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