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BCR108WE6327

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小863KB,共11页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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BCR108WE6327概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

BCR108WE6327规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.3636
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)70
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)170 MHz
Base Number Matches1

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BCR108...
NPN Silicon Digital Transistor
Switching circuit, inverter, interface circuit,
driver circuit
Built in bias resistor (R
1
=2.2 kΩ,
R
2
=47 kΩ)
BCR108S: Two internally isolated
transistors with good matching
in one multichip package
BCR108S: For orientation in reel see
package information below
Pb-free (RoHS compliant) package
Qualified according AEC Q101
BCR108
BCR108W
C
3
BCR108S
C1
6
B2
5
E2
4
R
1
R
1
R
2
TR2
R
1
R
2
TR1
R
2
1
B
2
E
EHA07184
1
E1
2
B1
3
C2
EHA07174
Type
BCR108
BCR108S
BCR108W
Marking
WHs
WHs
WHs
1=B
1=B
Pin Configuration
2=E
2=E
3=C
3=C
-
-
-
-
-
-
Package
SOT23
SOT323
1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT363
1
2011-08-19

BCR108WE6327相似产品对比

BCR108WE6327 BCR108E6327 BCR108E6433
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.3636 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.3636 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.3636
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 70 70 70
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3 e3 e3
湿度敏感等级 1 1 1
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260
极性/信道类型 NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) MATTE TIN
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40 40
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 170 MHz 170 MHz 170 MHz
Base Number Matches 1 1 1
是否无铅 - 不含铅 不含铅
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