1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
1 A, 600 V, 硅, 信号二极管, DO-41
参数名称 | 属性值 |
端子数量 | 2 |
元件数量 | 1 |
加工封装描述 | PLASTIC PACKAGE-2 |
状态 | ACTIVE |
包装形状 | ROUND |
包装尺寸 | LONG FORM |
端子形式 | WIRE |
端子涂层 | TIN LEAD |
端子位置 | AXIAL |
包装材料 | PLASTIC/EPOXY |
结构 | SINGLE |
壳体连接 | ISOLATED |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | SIGNAL DIODE |
反向恢复时间最大 | 0.0750 us |
最大重复峰值反向电压 | 600 V |
最大平均正向电流 | 1 A |
HER106 | HER101 | HER102 | HER103 | HER104 | HER105 | HER107 | HER108 | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
描述 | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 | SIGNAL DIODE | 1 A, 300 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 | 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved