TC55V8200FT-10,TC55V8200FT-10 pdf中文资料,TC55V8200FT-10引脚图,TC55V8200FT-10电路-Datasheet-电子工程世界

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TC55V8200FT-10: 产品描述MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS; 产品类别存储存储; 文件大小344KB，共8页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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TC55V8200FT-10概述

MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

TC55V8200FT-10规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Toshiba(东芝)
零件包装代码	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSOP54,.46,32
针数	54
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	10 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G54
JESD-609代码	e0
长度	22.22 mm
内存密度	16777216 bi
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	54
字数	2097152 words
字数代码	2000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	2MX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装等效代码	TSOP54,.46,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.004 A
最小待机电流	3.14 V
最大压摆率	0.43 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
宽度	10.16 mm

TC55V8200FT-10相似产品对比

	TC55V8200FT-10	TC55V8200FT-12	TC55V8200FT-15
描述	MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS	MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS	MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)
零件包装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSOP54,.46,32	TSOP2, TSOP54,.46,32	TSOP2, TSOP54,.46,32
针数	54	54	54
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	10 ns	12 ns	15 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54
JESD-609代码	e0	e0	e0
长度	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm
内存密度	16777216 bi	16777216 bi	16777216 bi
内存集成电路类型	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM
内存宽度	8	8	8
功能数量	1	1	1
端子数量	54	54	54
字数	2097152 words	2097152 words	2097152 words
字数代码	2000000	2000000	2000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C
组织	2MX8	2MX8	2MX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2
封装等效代码	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
最大待机电流	0.004 A	0.004 A	0.004 A
最小待机电流	3.14 V	3 V	3 V
最大压摆率	0.43 mA	0.4 mA	0.37 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm

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