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FLLD261TC

产品描述Rectifier Diode, 2 Element, 0.25A, 100V V(RRM), Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小32KB,共1页
制造商Diodes Incorporated
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FLLD261TC概述

Rectifier Diode, 2 Element, 0.25A, 100V V(RRM), Silicon

FLLD261TC规格参数

参数名称属性值
厂商名称Diodes Incorporated
包装说明R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW LEAKAGE CURRENT
配置SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量2
端子数量3
最大输出电流0.25 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散0.33 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间0.4 µs
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
Base Number Matches1

FLLD261TC相似产品对比

FLLD261TC FLLD261
描述 Rectifier Diode, 2 Element, 0.25A, 100V V(RRM), Silicon Rectifier Diode, 2 Element, 0.25A, 100V V(RRM), Silicon, SOT-23, 3 PIN
厂商名称 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
包装说明 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 LOW LEAKAGE CURRENT LOW LEAKAGE CURRENT
配置 SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 2 2
端子数量 3 3
最大输出电流 0.25 A 0.25 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
最大功率耗散 0.33 W 0.33 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 100 V 100 V
最大反向恢复时间 0.4 µs 0.4 µs
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1
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