12.5pF, 8V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, PLASTIC PACKAGE-3
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
包装说明 | R-PDSO-G3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
最小击穿电压 | 8 V |
配置 | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS |
二极管电容容差 | 12% |
最小二极管电容比 | 3 |
标称二极管电容 | 12.5 pF |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码 | e3 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散 | 0.25 W |
认证状态 | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 8 V |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
变容二极管分类 | HYPERABRUPT |
Base Number Matches | 1 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved