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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HY5PG1G431CFP-Y5
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HY5PG1G431CFP-Y5

产品描述DDR DRAM, 256MX4, 0.45ns, CMOS, PZMA60, ROHS COMPLIANT, FPBGA-60
产品类别存储    存储   
文件大小528KB，共43页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
标准
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HY5PG1G431CFP-Y5概述

DDR DRAM, 256MX4, 0.45ns, CMOS, PZMA60, ROHS COMPLIANT, FPBGA-60

HY5PG1G431CFP-Y5规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA60,9X11,32
针数60
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间0.45 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)333 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度4,8
JESD-30 代码R-XZMA-N203
JESD-609代码e1
长度11.4 mm
内存密度1073741824 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量60
字数268435456 words
字数代码256000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度
组织256MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA60,9X11,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）260
电源1.55 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度4,8
最大压摆率0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)1.6 V
最小供电电压 (Vsup)1.5 V
标称供电电压 (Vsup)1.55 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度8 mm
Base Number Matches1

HY5PG1G431CFP-Y5相似产品对比

HY5PG1G431CFP-Y5 HY5PG1G831CLFP-C4 HY5PG1G431CLFP-C4 HY5PG1G431CFP-C4 HY5PG1G831CLFP-Y5 HY5PG1G831CFP-C4 HY5PG1G431CLFP-Y5 HY5PG1G831CFP-Y5
描述 DDR DRAM, 256MX4, 0.45ns, CMOS, PZMA60, ROHS COMPLIANT, FPBGA-60 DDR DRAM, 128MX8, 0.5ns, CMOS, PZMA60, ROHS COMPLIANT, FPBGA-60 DDR DRAM, 256MX4, 0.5ns, CMOS, PZMA60, ROHS COMPLIANT, FPBGA-60 DDR DRAM, 256MX4, 0.5ns, CMOS, PZMA60, ROHS COMPLIANT, FPBGA-60 DDR DRAM, 128MX8, 0.45ns, CMOS, PZMA60, ROHS COMPLIANT, FPBGA-60 DDR DRAM, 128MX8, 0.5ns, CMOS, PZMA60, ROHS COMPLIANT, FPBGA-60 DDR DRAM, 256MX4, 0.45ns, CMOS, PZMA60, ROHS COMPLIANT, FPBGA-60 DDR DRAM, 128MX8, 0.45ns, CMOS, PZMA60, ROHS COMPLIANT, FPBGA-60
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士)
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 TFBGA, BGA60,9X11,32 TFBGA, BGA60,9X11,32 TFBGA, BGA60,9X11,32 TFBGA, BGA60,9X11,32 TFBGA, BGA60,9X11,32 TFBGA, BGA60,9X11,32 TFBGA, BGA60,9X11,32 TFBGA, BGA60,9X11,32
针数 60 60 60 60 60 60 60 60
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.45 ns 0.5 ns 0.5 ns 0.5 ns 0.45 ns 0.5 ns 0.45 ns 0.45 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 333 MHz 266 MHz 266 MHz 266 MHz 333 MHz 266 MHz 333 MHz 333 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
交错的突发长度 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8
JESD-30 代码 R-XZMA-N203 R-XZMA-N203 R-XZMA-N203 R-XZMA-N203 R-XZMA-N203 R-XZMA-N203 R-XZMA-N203 R-XZMA-N203
JESD-609代码 e1 e1 e1 e1 e1 e1 e1 e1
长度 11.4 mm 11.4 mm 11.4 mm 11.4 mm 11.4 mm 11.4 mm 11.4 mm 11.4 mm
内存密度 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bi
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 4 8 4 4 8 8 4 8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 60 60 60 60 60 60 60 60
字数 268435456 words 134217728 words 268435456 words 268435456 words 134217728 words 134217728 words 268435456 words 134217728 words
字数代码 256000000 128000000 256000000 256000000 128000000 128000000 256000000 128000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
组织 256MX4 128MX8 256MX4 256MX4 128MX8 128MX8 256MX4 128MX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA
封装等效代码 BGA60,9X11,32 BGA60,9X11,32 BGA60,9X11,32 BGA60,9X11,32 BGA60,9X11,32 BGA60,9X11,32 BGA60,9X11,32 BGA60,9X11,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度） 260 260 260 260 260 260 260 260
电源 1.55 V 1.55 V 1.55 V 1.55 V 1.55 V 1.55 V 1.55 V 1.55 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES YES YES YES YES YES YES YES
连续突发长度 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8
最大压摆率 0.17 mA 0.16 mA 0.16 mA 0.16 mA 0.17 mA 0.16 mA 0.17 mA 0.17 mA
最大供电电压 (Vsup) 1.6 V 1.6 V 1.6 V 1.6 V 1.6 V 1.6 V 1.6 V 1.6 V
最小供电电压 (Vsup) 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V
标称供电电压 (Vsup) 1.55 V 1.55 V 1.55 V 1.55 V 1.55 V 1.55 V 1.55 V 1.55 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间 20 20 20 20 20 20 20 20
宽度 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm

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