PIN PHOTO DIODE
| 参数名称 | 属性值 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 其他特性 | RESPONDS TO 600 TO 900 NANO METRE |
| 配置 | SINGLE |
| 最大暗电源 | 10 nA |
| 红外线范围 | NO |
| 功能数量 | 1 |
| 最高工作温度 | 80 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 光电设备类型 | PIN PHOTODIODE |
| 峰值波长 | 600 nm |
| 最小反向击穿电压 | 100 V |
| 形状 | ROUND |
| 尺寸 | 3 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| HR8101 | |
|---|---|
| 描述 | PIN PHOTO DIODE |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 其他特性 | RESPONDS TO 600 TO 900 NANO METRE |
| 配置 | SINGLE |
| 最大暗电源 | 10 nA |
| 红外线范围 | NO |
| 功能数量 | 1 |
| 最高工作温度 | 80 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 光电设备类型 | PIN PHOTODIODE |
| 峰值波长 | 600 nm |
| 最小反向击穿电压 | 100 V |
| 形状 | ROUND |
| 尺寸 | 3 mm |
| Base Number Matches | 1 |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
