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IRGMC50FUPBF: 产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-254AA; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小210KB，共7页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/; 标准

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IRGMC50FUPBF概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-254AA

IRGMC50FUPBF规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3
Reach Compliance Code	compliant
其他特性	FAST
外壳连接	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)	35 A
集电极-发射极最大电压	600 V
配置	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值	5.5 V
门极-发射极最大电压	20 V
JEDEC-95代码	TO-254AA
JESD-30 代码	S-XSFM-P3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	SQUARE
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	150 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	PIN/PEG
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管元件材料	SILICON
VCEsat-Max	1.7 V
Base Number Matches	1

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IRGMC50FUPBF相似产品对比

	IRGMC50FUPBF	IRGMC50FDPBF	IRGMC50FD	IRGMC50FU
描述	Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-254AA	Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-254AA	Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-254AA	Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-254AA
是否无铅	不含铅	不含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	符合	符合	不符合	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3	FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3	FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3	FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
其他特性	FAST	FAST	FAST	FAST
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)	35 A	35 A	35 A	35 A
集电极-发射极最大电压	600 V	600 V	600 V	600 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
门极-发射极最大电压	20 V	20 V	20 V	20 V
JEDEC-95代码	TO-254AA	TO-254AA	TO-254AA	TO-254AA
JESD-30 代码	S-XSFM-P3	S-XSFM-P3	S-XSFM-P3	S-XSFM-P3
元件数量	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	150 W	150 W	150 W	150 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
VCEsat-Max	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V

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